IGBT模块10-FY07NPA150SM02-L365F08和L365F58的区别

Igbt模块 10-fy07npa150sm02-L365F08和L365F58的区别
创建于2018-12-04

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VINCOTECH的I型三电平模块 L365F08和L365F58最大的区别是采用的igbt 晶圆不同，其中L365F08采用了H5晶圆，是目前开关频率最高的晶圆，通常可以运行在30kHz~100kHz。而L365F58采用了S5晶圆，是更适合用在硬开关产品中的晶圆，运行开关频率在10kHz~40kHz之间。可参考以下链接：一文教你读懂IGBT模块10-FY07NPA150SM02-L365F08和L365F58的区别

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请问威科 10-FY07NPA150SM02-L365F08 和10-FY07NPA150SM02-L365F08Y什么区别？

两者都是650V/150A的 NPC三电平拓扑的IGBT模块，flow1 12mm封装，区别如下： 10-FY07NPA150SM02-L365F08 是12mm 封装带焊接脚，而10-FY07NPA150SM02-L365F08Y是 12mm封装带压接脚。 Vincotech（威科） 10-FY07NPA150SM02-L365F08/10-FY07NPA150SM02-L365F08Y功率模块数据手册第26页 https://www.sekorm.com/doc/49818.html

2019-07-04 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

Vinco的I型电平IGBT模块10-FY07NPA150SM02-L365F08在做双脉冲测试时发现IGBT关断时Vce的电压脉冲过高，需要从哪几个方面分析问题？

Vinco的I型电平IGBT模块10-FY07NPA150SM02-L365F08在做双脉冲测试时，一般在关断时，Vce都会出现尖峰现象，如果尖峰过高，需从以下几个方面分析：第一检查主回路布线是否合理，关断尖峰电压一般由于主回路杂散电感和di/dt乘积有关；第二检查门极驱动电阻选用是否合理；第三检查IGBT是否加了吸收电路；通过以上三个方法可以有效解决IGBT关断尖峰问题。

2019-05-13 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

Vincotech 10-FY07NPA150SM02-L365F08，请问这个的死区时间要留多少

IGBT模块应用时，在IGBT的参数表Trr(on)和Trr(off)，在设计驱动时，为防止上下管在这个延时的阶段互通短路，需要预留死区时间。一般20KHz驱动频率的电源行业，INV采用半桥架构，上下管的交替死区设置时间是1~2μS。

2018-10-24 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

在设计一款50kVA SVG时，IGBT功率模块选用vincotech的10-FY07NPA150SM02-L365F08，请问该模块的损耗如何计算？

vincotech针对IGBT功率模块的损耗计算有专用的仿真软件Vincotech ISE，通过在该软件中设置合适的电流、电压、开关频率、驱动电阻等参数，可以方便快捷的计算出模块损耗。例如，在母线电压700VDC、输出相电压240VAC、相电流75A、开关频率30kHz时，通过仿真可以得到单个L365F08模块的功耗为 278W。

2018-08-22 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

碳化硅的效率比普通igbt模块高多少？

从效率的角度，SIC是可以设计的比IGBT效率高，在开高频的情况下，SIC可以做到低的损耗，另外也可以减小滤波的体积，具体效率高多少，这个需要设计后去实测对比。

2018-04-10 - 技术问答

VINCOTECH-IGBT功率模块选型表

VINCOTECH提供以下技术参数的IGBT功率模块产品选型，VOLTAGEIN：600-1800V，CURRENTIN：4-1800A

产品型号	品类	SUB-TOPOLOGY	PRODUCT LINE	VOLTAGEIN（V）	CURRENTIN(A)	MAIN CHIP TECHNOLOGY	HOUSING FAMILY	HEIGHTIN（mm）	ISOLATION
V23990-K429-A40-PM	IGBT功率模块	CIB-KE-NTC	MiniSKiiP® PIM 3	1200	75	IGBT4	MiniSKiiP® 3	16	Al2O3

选型表 - VINCOTECH 代理服务技术支持采购服务立即选型

【应用】Vincotech I型三电平功率模块在APF中的应用

Vincotech I型三电平模块运行开关频率高，可以有效减小无源器件（电感、电容）的体积，提高整机的功率密度。同时，该模块集成度高，集成单个桥臂所需的IGBT、钳位二极管以及吸收电容，增强整机的可靠性，并且可以显著提高生产效率。

2018-11-22 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

大功率变频器项目，逆变电路部分需要IGBT模块进行搭建，规格需要1200V/600A，低饱和压降，半桥模块，请问有什么型号可以推荐。

您好，推荐评估Vincotech的IGBT半桥模块，型号为A0-VS122PA600M7-L759F70，规格为1200V/600A，饱和压降VCE(sat)@Tj=25℃为1.51V（TYP），开启电压VGE(th)@Tj=25℃为6V（TYP），封装为Vinco E3。数据手册：https://www.sekorm.com/doc/1875617.html

2022-12-06 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

【选型】为100KVA的APF设计选择一款高集成度NPC IGBT模块

针对业内广泛使用的100kVA容量APF，基于高效理念，通常需提高整机的开关频率（最高40kHz），主功率电路多采用I型三电平拓扑。Vincotech高集成度NPC IGBT模块30-FT07NIB300S502-LE06F58（1200V/300A）的IGBT模块，已经成功的助力APF市场的高效理念设计。

2019-06-26 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【应用】威科1200V IGBT模块LG09F08助力200KW储能PCS设计，开关频率高达16kHz

本文重点介绍威科（Vincotech）三电平IGBT模块LG09F08用于200KW储能PCS设计项目，优势：电压可达1500V，电流达150A；采用多电平拓扑技术；采用IGBT4晶圆设计；有客户应用案例，产品成熟等。

2022-08-11 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

VINCOTECH 的IGBT模块V23990-P630-A44-PM是否有其他可以直接替代的物料？

推荐10-R112PMA025M7-P630A70，采用IGBT M7晶圆，flow90 PIM 1封装，可同V23990-P630-A44-PM，兼容替代，参考规格书：https://www.sekorm.com/doc/1418201.html

2022-08-05 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

【经验】Vincotech IGBT模块三菱M7晶圆对比英飞凌IGBT4技术对比分析

Vincotech针对工业控制领域发布的flow E1/flow E2、MiniSKIIP的新模块采用了最新一代IGBT M7芯片技术，具有卓越的热性能。同时减少供应链问题，可为客户提供更高的效率。本文将详细介绍三菱M7晶圆技术与英飞凌IGBT4晶圆技术对比分析。

2019-06-29 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【选型】为2.2KW变频器推荐1200V/25A的IGBT模块10-E212PMA025M7-L187A78Z

目前变频器2.2KW的功率段主要是对应适配的电机功率。采用三相380V输入，2.2KW的变频器的电源容量大约会设计在4.0KVA，选型时推荐1200V/25A的PIM（集成整流+刹车+逆变）类型的IGBT模块。因此本文推荐使用Vincotech的IGBT模块10-E212PMA025M7-L187A78Z。

2020-03-29 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

Vincotech（威科）使用的 IGBT4和IGBT M7两种晶元的区别是什么？

这个问题太广泛了，IGBT模块基本上用单体的IGBT晶圆封装在一起，因此晶圆差异取决于IGBT的性能是否是一致的，如果性能不一致，也就表示不是同一个晶圆，差异就是电气性能差异

2022-04-28 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

IGBT模块应用时，死区时间怎么预留？

IGBT模块应用时，通过软件控制上下桥臂的门极开关切换时间控制死区时间，例如20KHz驱动频率的电源行业，INV采用半桥架构，上下管的交替死区设置时间一般是1~2μS。另外关于IGBT模块选型，可参考Vincotech的选型资料：https://www.sekorm.com/doc/65932.html

2018-10-15 - 技术问答代理服务技术支持采购服务