有没有碳化硅Mos管比较快速的过流保护方案
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创建于2018-12-05
5个回答
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- 用户_9400 (0)
推荐PI带保护驱动方案：SID1182：内置VCE电压检测，一旦mos发生短路，MOS退饱和进入线性区，VCE电压迅速上升，内部电路检测到VCE电压超过阈值会关断驱动，实现过流保护。资料链接： Power Integrations（PI）SID11x2K SCALE-iDriver门极驱动芯片数据手册
- 创建于2018-12-06
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- 曹园 Lv7 . 资深专家 (0)
- 上面大家回答的都不好用的，sicmos没有退饱和的现象，所以不能像IGBT一样的保护方法。
- 创建于2018-12-07
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- lm11 Lv6 . 高级专家 (0)
- 推荐 PI 带保护驱动方案： SID 1182：内置 VCE 电压检测，一旦 mos 发生短路， MOS 退饱和进入线性区， VCE 电压迅速上升，内部电路检测到 VCE 电压超过阈值会关断驱动，实现过流保护
- 创建于2018-12-06
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- 叶少专注高频微波pcb116425136 Lv8 . 研究员 (0)
- 推荐PI带保护驱动方案：SID1182
- 创建于2018-12-06
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- 剑藏锋 Lv7 . 资深专家 (0)
- 可以看一下罗姆的mos，我司很多项目都在用
- 创建于2018-12-06
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