• 世强碳化硅类器件都有什么品牌?

  • 创建于2018-12-09

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如何在世强元件电商平台购买元器件?

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该资料详细介绍了LSIC1MO120E0080型号的碳化硅MOSFET的特性、规格和应用。这款MOSFET具有1200伏电压等级、80毫欧姆导通电阻,适用于高频、高效率的应用。

LITTELFUSE  -  1200V N-CHANNEL, ENHANCEMENT-MODE SIC MOSFET,碳化硅MOSFET,电力电子功率器件,1200伏N通道增强型SIC MOSFET,SIC MOSFET,电力电子功率模块,C2M0080120D,LSIC1MO120E0080,SCT2080KE,室内照明,INDUCTION HEATING,个人代步工具,BATTERY CHARGERS,高频,小家电,电动机驱动,HIGH-FREQUENCY,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,MOTOR DRIVES,感应加热,工业电子,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,智能家居,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,不间断电源,UPS,蓄电池充电器,太阳能逆变器,大家电,模式电源开关,汽车电子

2017年10月31日  - 数据手册  - Rev 0.2 代理服务 技术支持 采购服务

请问:碳化硅的有300A、400A、600A,1200V,及耐压以上的吗?其驱动电路与驱动IGBT的一样吗

推荐采用rohm的SiC模块,耐压1200V的模块电流规格范围80A-600A,耐压1700V的模块电流规格为250A。可参考链接:【选型】ROHM(罗姆)SIC碳化硅功率元器件选型指南。IGBT对驱动电压的要求为-10V和+15V,而SiC MOS对驱动电压的要求通常为-5V和+20V,在设计时需要注意。

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你好,请问ROHM的 碳化硅MOS-S4103(1200V,90A),这个规格是否有货,什么价格;

暂时没有现货,至于价格,你可以搜索MOS-S4103,然后可以点击批量询价,或者点击交期查询即可,后面会有人专门给您联系,

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射频无源器件定制

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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

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