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一块电路板上有模拟电路和数字电路，两种地单点接触，请问用什么连接模拟地和数字地了？0欧电阻？磁珠？
这是典型的数字与模拟电路共存的电路，一般情况下，使用104电容即刻，如果有高频干扰，采用磁珠进行滤波。
请问AD芯片一般都将模拟地和数字地隔离，那么芯片底部的底焊盘用哪个地?
AD芯片底部焊盘一般用来散热，需接芯片的电源地。AD芯片的模拟地和数字地用磁珠隔离，模拟地用大面积铜箔与电源地连接。在很多应用中，数字电源与模拟电源常用磁珠隔离，而模拟地，数字地，电源地基本用大面积铜箔连接，不形成环路就成。
模拟地和数字地间一般串什么器件较好？
模拟地和数字地之间一般建议串联磁珠进行高频信号滤波，世强有代理laird磁珠，请参考以下链接：https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/laird%E7%A3%81%E7%8F%A0
模拟电路和数字电路有什么区别？
模拟电路只要是讲解以连续信号为主要的信号对连续信号处理，数字电路主要是对离散信号的讲解和处理
X电容一般选多大？Y电容一般选多大？几级？
X电容一般选用薄膜电容，耐压值高，适合EMI电路的高压脉冲吸收作用。一般两级X电容，前一级用0.47uF，第二级用0.1uF，单级则用0.47uF。Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间的电容，一般是成对出现的。基于漏电流的限制，Y电容值不能太大，一般是nF级的，GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。
一文详解电源系统中铁氧体磁珠使用
过滤高频电源噪声并干净地分享相似电源供电轨，同时在共享的供电轨之间保持高频隔离的一种有效方法是使用铁氧体磁珠。本文中DDY将为大家详细解析电源系统中铁氧体磁珠使用，希望能对各位工程师朋友在进行产品设计的过程中提供帮助。
数字源表项目上需求一款大功率低温漂的采样电阻，要求8-10W，100mΩ，温飘＜50ppm，精度0.5%，由于是大功率要求插件封装，麻烦推荐一款电阻产品？
推荐ISABELLENHUETTE的PBV系列电阻，最大功率可达10W，4脚插件封装，100mΩ电阻器温漂小于30ppm，根据参数需求推荐具体型号PBV-R100-F1-0.5，其详细资料可以参考：https://www.sekorm.com/doc/388181.html。
荣湃数字隔离器输入端需要加上拉下拉电阻吗?
不需要。荣湃数字隔离器芯片内部已有上拉或者下拉电路。缺省电平为高的芯片输入端有上拉电路，缺省电平为低的芯片输入端有下拉电路，上下拉能力约为1uA，用于固定输入信号。但我们不建议将输入端口浮空，浮空的输入端口抗干扰能力是较差的。
OBC产品上电流采样使用的是采用电阻+隔离运放的方案，隔离运放使用的是NSI1300，有其他的物料推荐吗？
推荐荣湃的隔离运放PAI8300，PAI8300是一款精密、隔离的放大器，其输出与输入电路通过一个高抗磁干扰的隔离栅隔离。供电电压3-5.5V，高 CMTI 140 kV/μs，低非线性和漂移：0.03%，1 ppm/°C。数据手册链接：https://www.sekorm.com/doc/3660299.html。
ISA采样电阻在高压应用情况下，隔离问题不知道怎么解决
可以加上隔离运放如Silicon Labs的SI8920或隔离ADC SI8900。
项目需求数字晶体管、带内置电阻，要求工作电压50V、集电极电流100mA、输入电阻4.7kΩ，请问有什么合适型号推荐？
推荐ROHM的DTC043ZEBTL，能满足参数需求、内置偏置电阻，R1 = 4.7kΩ， R2 = 47kΩ2、NPN极性偏置电阻内置晶体管，规格书：https://www.sekorm.com/doc/833162.html。
Siliconlabs的隔离驱动芯片SI8751，调节其TT引脚对地所接的电阻大小，对芯片工作状态有什么影响？
Siliconlabs的隔离驱动芯片SI8751，调节其TT引脚对地所接的电阻大小，能够调节输入引脚高电平时的电流消耗。电阻越小，消耗的电流越大，开启时间越短；反之，则消耗的电流越小，开启的时间越长，TT引脚对地所接电阻的范围可以从0欧到开路。
【应用】带DC-DC转换的双数字隔离芯片SI88221XC用于VAV系统
常规VAV系统中使用一颗Silicon Labs带DC-DC转换的双数字隔离芯片Si88221，只需要输入端供电，外部加一个变压器可以给输出端供电，供电电压由输出端的电阻进行调整，芯片集成一正一反两个通道可以对485总线的收发信号进行隔离，DC-DC转换效率83%。
需要一颗固态继电器，要求击穿电压400V，低导通电阻，Viso=5000Vrms的隔离电压等级。有合适推荐么？
推荐奥伦德OR-440AS-TP，If=50ma,Vr=5v,击穿电压400V，持续负载电流120mA,总功耗550mw,隔离等级5000Vrms。资料：https://www.sekorm.com/doc/3187437.html
在设计一款一二次融合FTU项目，需要对100mV~7.8V电压信号进行隔离放大后送进MCU进行处理，请帮忙推荐合适的隔离放大器，要求精度高、零点漂移低的产品？
推荐Silicon Labs的隔离放大器Si8920BC-IP，这款隔离放大器的精度＜0.5%，零点漂移≤0.2mV。输入信号为±200mV的差分信号，通过内部 的隔离放大（隔离耐压3750Vrms，放大倍数8倍），输出差分信号送入MCU的AD。在使用时需要将客户的输入信号通过电阻分压转换为合适的电压范围后送入 Si8920的输入端，输出端可以直接（或经过运放处理后）送入MCU的AD。
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可定制分流器电阻范围20uΩ~100uΩ，可自由设计铜排形状尺寸，电镀：镀锡/镀镍。支持RoHS指令 、AEC-Q200。认证资格：IATF16949;ISO9001；检测精度：0.1%。
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配备KEYSIGHT网络分析仪，可测量无线充电系统发射机/接收机线圈的阻抗，电感L、电阻R、电感C以及品质因数Q，仿真不同充电负载阻抗下的无线充电传输效率。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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