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用在50kW电机控制器上，要求最大电压为1200V，电流为300A，有没有合适的碳化硅MOS推荐？
没有合适的单管碳化硅MOS推荐，推荐碳化硅功率模块CAS300M12BM2，额定电压为1200V，电流为300A，该模块为半桥结构集成两个MOS。
有没有碳化硅mos驱动方案？
建议可以参考Silicon Labs的SIC驱动芯片SI827X，支持高的开关频率，另外在抗信噪比上也有优势；可以在世强平台搜索相关资料；
有没有碳化硅mos小管背面散热器是不带点的。
不太清楚散热器带点是MOS封装哪一块，最好附上图片问题更清楚。
有没有碳化硅mos驱动模块？
请查阅Power Integrations（PI）SCALE-iDriver™系列门极驱动器SiC-MOSFET Gate Driver https://www.sekorm.com/chapter/2937.html
世强代理的碳化硅mos有没有跟igbt封装一样的。
世强代理了Littelfuse、CREE和ROHM的SIC MOS，封装主要以TO-247插件封装和TO-263-7L贴片封装为主，其中TO-247封装和单管IGBT封装是一样的，详细资料可以在世强电商平台自行检索相关资料。
【产品】ROHM新推第四代碳化硅功率MOSFET器件SCT4062KR，漏源电压为1200V
ROHM推出了第四代碳化硅功率MOSFET器件SCT4062KR，与传统产品相比，导通电阻与开关损耗更低，且采用带有驱动源端子的4引脚TO-247-4L封装，可最大限度地发挥器件的高速开关性能特点。
一个新项目准备用爱仕特的碳化硅mos管，1200v，11毫欧内阻的，想实现低压断路器的开断，我们准备用碳化硅mos管+硅mos管做同源同栅结构，这种方案最大的分断能力能达到多少，这个方案可靠吗
意思是MOS并联吗，一般推荐用同型号的甚至同批次的MOS。不一致可能会导致关管瞬间的误导通。
有没有200V电阻小于10毫欧电流大于50A的MOS管。
推荐评估JMSH2010BS，https://www.sekorm.com/doc/3746716.html
采样电阻的作用和特点
电流采样和电压采样，对电流采样则串联一个阻值较小的电阻，对电压采样则并联一个阻值较大的电阻。此类电阻是按照产品使用的功能来划分电阻；采样电阻一般根据具体线路板的要求，分为插件电阻、贴片电阻。
请问：碳化硅的有300A、400A、600A，1200V，及耐压以上的吗？其驱动电路与驱动IGBT的一样吗
推荐采用rohm的SiC模块，耐压1200V的模块电流规格范围80A-600A，耐压1700V的模块电流规格为250A。可参考链接：【选型】ROHM（罗姆）SIC碳化硅功率元器件选型指南。IGBT对驱动电压的要求为-10V和+15V，而SiC MOS对驱动电压的要求通常为-5V和+20V，在设计时需要注意。
30KW 直流电源设计需要用到SIC MOS做开关，参数要求：电压1200V，导通电阻80mΩ，封装TO263-7，有什么型号推荐。
推荐瞻芯电子的IV1Q12080D7Z，电压1200V，导通电阻80mΩ，封装TO263-7，具体参数可参考数据手册： https://www.sekorm.com/product/501616788.html。
请问输入锂电48V，驱动器驱动电机运动，电机制动时瞬间电压波动范围超过20V，如何抑制这种电压波动对其它电路的影响。
电机在制动时会产生感应电压，导致驱动器的直流母线电压瞬间升高。通常采用制动电路实现母线电压的泄放，制动电路由一个功率电阻和MOS管串联组成，接在直流母线之间。正常运行时，MOS管处于关断状态，当母线电压波动超出设定值时，驱动MOS管使其导通，母线电压通过功率电阻泄放能量，使母线电压降低。推荐采用ROHM的低压大电流MOS管，参考链接：【选型】ROHM（罗姆）晶体管选型指南（中文）
请问有没有高压的氮化镓mos，目前的产品化做到了多少电压
氮化镓mos耐压目前技术验证可以达到1700V以上，但批量生产最高电压基本在600V左右，EPC的氮化镓器件，最高350V，此电压段产品在同行业优势明显，可以在世强官网检索相关产品资料。
我需求一个内置功率MOS，支持输入电压80V，输出电压从42V的DCDC，世强有推荐吗？
推荐OC5800L，是一款支持宽电压输入的开关降压型DC-DC，内置100V/5A功率MOS，支持输入电压8-90V，输出电压从4.2V到30V可调，输出电流可达2A以上，固定工作频率140KHz。 规格书：https://www.sekorm.com/doc/1079151.html
关于圣邦威的电流检测芯片sgm8198的外置Rs电阻一般选多大？供电电压32v，检测电流大概3A左右。
选择好增益之后，用公式计算即可。
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