3个回答
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- 阿呆 Lv7 . 资深专家 (0)
- Pmos内阻比较小
- 创建于2018-12-26
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- abcdking1234 Lv6 . 高级专家 (0)
- 从控制逻辑分析,控制信号幅度不会超过受控电压,也就是(控制信号)-(被控制信号/电源)必为负,所以只能采用Pmos当开关。目前有专用高边开关,就不存在这一问题。
- 创建于2018-12-26
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- 当年我挺瘦 Lv5 . 技术专家 (0)
- 没有要求一定要这样用,只不过这样驱动电路好做,直接共负极就可以了,无须自举、隔离等驱动方式
- 创建于2018-12-26
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为什么做开关一般都是用NMOS,PMOS不应该更好控制吗
MOS管当开关控制时,一般用PMOS做上管NMOS做下管。NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高)
三极管、MOS管如何选型?什么时候用NMOS?什么时候用PMOS?
一般是电源端开关用PMOS,GND端开关用NMOS,mos管和三极管的主要区别在于工作频率以及电流能力上,根据需求选择。
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是用在什么地方,开关电源吗,如果是半桥或全桥拓扑,上下管的规格当然得一样,驱动的设计,走线一定要一致,做等长。
防反接电路一般用低VF的二极管,也有用MOSFET来做,那么NMOS和PMOS在防反接电路设计该注意什么?
NMOS和PMOS在防反接电路设计时,NMOS管接在电源的负极,栅极高电平导通。PMOS管接在电源的正极,栅极低电平导通。但NMOS管的导通电阻比PMOS的小,所以一般都选NMOS。相关资料可以参考:https://www.sekorm.com/news/36157217.html。
Mos管栅极上管输入波形,当下管开关时存在振荡,请问有什么解决方法
MOS管栅极驱动波形存在振荡,可能是由回路中存在的杂散电感引起的,建议优化电路布局和PCB走线,降低杂散电感,改善驱动波形。
SOUTHCHIP PD/DPDM控制器选型表
南芯提供PD/DPDM控制器选型,支持的输入电压包含2.5V~3.3V,输出电压包含12V~30V,多数型号采用NMOS作为开关元件,部分型号提供双NMOS配置,提供1~4个DPDM端口
产品型号
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品类
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Abs. VIN (min)
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Abs. VIN (max)
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Integrated Driver
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Integrated Vol. and Cur. Sense
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Int’d LDO
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Control Interface
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Total ADC channels
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ADC Resolution
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Typical Application
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DPDM
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Type-C Port Role
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PD Version
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Proprietary Protocol
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Protections
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GPIOs
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MCU Core
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Memory Type
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Package
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SC2001
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PD/DPDM Controller
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2.7V
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30V
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NMOS
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Yes
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Yes
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I2C/FB
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8
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10-bit
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General DRP
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DPDM x 4
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DRP
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PD 2.0/ 3.0 + PPS
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FC/FCP/AFC/SCP/VOOC*
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OVP/UVP/OCP/SCP/OTP
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16 GPIOs
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32-bit
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MTP
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QFN 4x4
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诚芯微DC-DC电源芯片选型表
30V—100V耐压,输出电流1.5A—8A,频率110—600kHz,输出精度达0.02.线补0.6VMAX
产品型号
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品类
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耐压
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输出电压
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输出电流
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输出电压精度
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输出恒流精度
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线补
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频率
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MOS
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封装
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备注
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CX8576Q
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DC-DC电源芯片
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36V
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ADJ
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4.8A
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0.02
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0.08
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0.6V MAX
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110 kHz
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内置双NMOS
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QFN5*5*20
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符合AEC—Q100认证
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合科泰生产的NMOS管HKTD80N06,高开关速度,减少了开关损耗,提升了整体效率
MOS管通常在电子电路中作为电子开关,通过控制栅极电压来开启或关闭电流的流动,它具有开关速度快噪声低、功耗小等优点。本文给大家推荐一款在国内生产的N沟道MOS管HKTD80N06,它在电机驱动、逆变器、BMS等产品上具有广泛应用。其能承受的最大漏源电压60V,栅源电压±20V,连续漏极电流80A,漏源导通电阻0.0065欧姆,最小栅极阈值电压2V,最大栅极阈值电压4V,耗散功率100mW。
芯海PD快充IC选型表
芯海PD快充IC选型表主要提供以下参数,Memory(KB):8KB Flash、32KB Flash、64KB Flash、256KB Flash;Load Switch Driver:PMOS*2ch、NMOS*1ch;Operating Temp(℃):-40℃~85℃、-40℃~105℃;Supply Voltage(V):2.2~5.5V、3.0~25V、2.4~24V 。
产品型号
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品类
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Memory(KB)
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Load Switch Driver
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Interface
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ADC
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DP/DM
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TypeC/Port Role
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PD
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Protocol
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Operating Temp(℃)
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Supply Voltage(V)
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Package
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CS32G023K8V6
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PD快充IC
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64KB Flash
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PMOS*2ch
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I2C/FB
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12bit*22ch
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2ch
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DRP*1
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PD3.1/PPS/QC4.0
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QC/FCP/SCP/AFC
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-40℃~85℃
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2.2~5.5V
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QFN32
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单火开关上的开态取电电路的那个MOS,如果我要做支持2000W以上的灯,这个MOS要选多大规格?
单火方案,开态取电电路的MOS,主要是做开态取电的,其工作分正负两个周期,其中只有负周期才工作,插座的电压是220V,2000W负载的话,那电流就是10A,因此只要选一个负载电流在10A以上的MOS就行了,导通阻抗尽量小。可以参考我强茂的Nmos管PJD80N04,负载电流可达80A
What is the Difference between NMOS and PMOS?
NMOS English is called N-Metal-Oxide-Semiconductor. It means an N-type metal-oxide-semiconductor, and a transistor having such a structure is called an NMOS transistor. The MOS transistor has a P-type MOS transistor and an N-type MOS transistor. An integrated circuit composed of a MOS transistor is called a MOS integrated circuit, and a circuit composed of an NMOS is an NMOS integrated circuit.
【选型】NMOS YJQ40G10A可兼容IRFHM7194TRPBF,ID通流高达40A,用于开关电源
在开关电源产品中,副边同步整流一般会使用MOS。NMOS是最常用的。现介绍一款100V耐压的NMOS扬杰科技的YJQ40G10A,其功能与INFINEON的IRFHM7194TRPBF相似,在系统余量合适的情况下,可以进行兼容性设计。
需求耐压100V、电流100A以上、TO-263封装的NMOS管,有合适推荐吗?
推荐无锡紫光微N沟道MOS管TMB140N10A,主要参数:漏源电压100V、导通电阻7mΩ、漏源电流130A、封装TO-263。资料:https://www.sekorm.com/doc/1452129.html。
CHT-NMOS80xx高温、80V电源NMOSFET规格书
该资料为CHT-NMOS80XX高电压N沟道中功率MOSFET的数据手册。它介绍了该系列器件的高温工作能力,适用于极端温度范围(-55°C至225°C)。资料详细说明了其电气特性、开关特性、热特性和典型性能曲线。
CISSOID - HIGH-TEMPERATURE, 80V POWER NMOSFET,HIGH VOLTAGE N-CHANNEL MID-POWER MOSFET,高压N沟道中功率MOSFET,高温,80V功率NMOSFET,CHT-NMOS-8005,CHT-NMOS-8010,CHT-NMOS8005-TO254-T,CHT-NMOS80XX,CHT-NMOS8010-TO254-T,航空,OIL,汽车,AERONAUTICS,测井,GAS,航空航天,油,AEROSPACE,WELL LOGGING,AUTOMOTIVE,燃气
【经验】浅析MOS开关管的基础知识、开关特性和选用PMOS作为控制开关时的应用
MOSFET管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。本文浅析MOS开关管的基础知识、应用和开关特性。
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现货市场
品牌:SILICON LABS
品类:Switch Hall Effect Magnetic Position Sensor
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最小起订量: 1片 提交需求>