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NPN三极管饱和导通时，基极电压高于集电极电压，那为什么集电极的电流还能往下流？？
饱和导通情况下，基极电压一般只有0.7V左右，不会高于集电极电压，另外集电极电流是往发射级流，不是往基极流动
三极管集电极到发射极电压与什么有关？
三极管的集电极电压与发射极电压的关系是： 三极管的集电极电压经过线路传输后经过电阻，触发了通量且改变了通量大小，进而改变了发射极电压的大小。 以三极管负极接地为例：集电板电位最高，其次是基极，最低的则是发射极。三极管除了放大功能外，还可以做开关电路和其他逻辑电路，可以用万用表测两个PN结的好坏，也可以简单测量它的放大倍数。
固态激光雷达上寻一款国产NPN三极管，集电极-基极电压最大40V，最大集电极电流为0.5A，SOT-23封装，帮忙推荐下。
可推荐扬杰科技S8050-H，最大耗散功率0.3W，VCBO max=40V，最大集电极电流IC=0.5A，SOT-23封装，工作温度范围-55℃~150℃，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/826857.html
项目需求贴片NPN三极管、高集电极电流，与S9012互补、集电极连续电流0.5A，请问有什么合适型号推荐？
推荐辰达行的S9013，贴片型NPN三极管，集电极40V、集电极-发射极电压25V、发射极5V，规格书：https://www.sekorm.com/doc/3653284.html。
三极管饱和导通时CE电压会随集电极电流变化吗
三极管导通后C-E压降是随基极电流变化而急剧变化，就是基极电流的变化，引起C-E电阻的变化，实际是集电极电流变化，使得负载电阻上电压变化，看似C-E压降变化。
听说看完这篇，三极管和MOS的区别可以给你整得明明白白
三极管和MOS管的区别。从性质上分析：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。从成本上分析：三极管价格较低，MOS管贵。从功耗上分析：三极管损耗大。从驱动能力上分析：MOS管常用于电源开关以及大电流地方开关电路。
三极管工作状态有哪些？
三极管的工作状态对其性能和应用至关重要。通过调整基极电流或基极电压，可以使三极管工作在不同的状态：放大区、饱和区、截止区和反向区。每种工作状态对应不同的电气特性，满足不同电路的需求。理解三极管的工作状态及其特点，有助于在设计和调试电路时优化性能，确保电路的稳定性和可靠性
MOS管和三极管的电源开关电路，NPN与PMOS管组合并非唯一CP
NPN和PMOS组合比较常见，NPN三极管用于控制基极电流，PMOS管用于控制高电压或高功率负载。其中NPN三极管用于低电压和低功率控制信号，而PMOS管用于高电压和高功率负载。PNP和NMOS，这种组合适用于需要负电压供电的应用，其中PNP三极管用于负电压供电，而NMOS管用于控制信号。在一些特殊应用中，如负电源电路和功率逆变器中会经常使用。
耐压值达100V的三极管TIP32A，可用于音频放大、LED及智能安防开关
合科泰电子生产的三极管TIP32A具有很好的电气性能，其采用PNP沟道制作，能承受的最大集电极基极电压100V，集电极发射极电压-100V，发射极基极电压-5V，集电极电流-3000mA，最小放大倍数10，最大放大倍数50，耗散功率2000mW。
【经验】以S9013为例说明如何判断三极管的静态工作点设置是否合适？
三极管在的工作状态可分为静态和动态两个状态，其分别指在直流信号工作状态和交流信号工作状态，而三极管的静态工作点就可以用在静态状态下，流经三极管的电流、电压数值可用三极管输入输出特性曲线上一个确定的点表示。静态工作点设置是否合适直接影响电路是否能够正常工作，尤其是放大电路，一旦设置不当就会产生失真。本文将结合杨杰科技的三极管S9013分析如何判断三极管的静态工作点设置是否合适。
【产品】集电极-基极电压最大额定值为100V的NPN型三极管TIP31C
TIP31C是丽正国际推出的一款NPN型三极管，采用TO-220C封装，集电极-基极电压最大额定为100V，工作结温为-65~150℃，专为通用放大器和开关应用所设计。封装及引脚图如下，其中1为基极，2为集电极，3为发射极。
具有高耐压能力的合科泰三极管MMSAT92，可用于充电器和音频放大领域
合科泰电子生产的三极管产品MMSAT92采用PNP沟道制作，它具有很好的电气性能，其集电极基极电压-310V，集电极-发射极电压-305V，发射极-基极电压-5V，集电极电流-200A，最小放大倍数100，最大放大倍数200，耗散功率200mW。这款产品的耐电压电流能力强大，在处理大电流应用上非常有优势，适用于中功率的放大电路及开关电路，产品的低正向电压降和快速开关特性适用于需要高性能的电路设计。
萨科微三极管MMBT5401功率为225mW，特征频率为100MHz
萨科微MMBT5401是一款PNP型三极管，具有以下参数和特点：集射极击穿电压为-150V，集电极-发射极饱和电压为500mV@50mA,10mA，适用于一些中功率放大应用，且器件在饱和区时的性能较好。直流电流增益为-60@10mA,5V，集电极电流为-500mA，集电极截止电流为50nA。
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