新电元（Shindengen）电源用肖特基二极管，有个疑问，为什么碳化硅基二极管的正向导通压降为什么

新电元（SHINDENGEN）电源用肖特基二极管，有个疑问，为什么碳化硅基二极管的正向导通压降为什么会比硅基快恢复二极管的正向导通压降要高呢？
创建于2019-02-22

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bsy1984_世强 (0)

SHINDENGEN的肖特基二极管一般耐压在几百伏左右，正向导通压降0.8V左右（跟材料有关），适用于电压较低场合；而sic二极管耐压都在600V以上，正向导通压降典型值1.5V左右，但反向恢复时间几乎为零，适用于电压较高场合，两者应用范围不同，不能单纯就参数来比较。

创建于2019-02-23
用户_7563 (0)

SiC肖特基二极管的特点是承受高耐压（600v以上），优势是反向恢复电流基本为零，其正向导通压降通常在1.5v左右。而Si肖特基二极管的耐压通常在200v以下，其正向导通压降一般低于1v。二者的应用范围不同，不具有可比性。世强代理littelfuse和wolfspeed的sic二极管，可在世强官网或APP搜索资料。

创建于2019-02-22

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QRT系列快恢复二极管（FRD）结温175℃，是硅基二极管吗？

快恢复二极管（FRD）也属于硅基二极管，工艺上多采用掺金措施，结构上分PN结构和改进的PIN结构。PIN结构是在P 型、N 型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片，由于基区很薄，反向恢复电荷很小，大大减小了反向恢复时间，同时降低了瞬态正向压降，使其能承受很高的反向工作电压。

2019-08-19 - 技术问答

快恢复二极管和肖特基二极管有什么区别？

快恢复二极管具有开关特性好、反向恢复时间短，耐压较高的特点，但由于正向压降大，功耗也大，容易发热；肖特基二极管开关特性也很好、反向恢复时间也很短，正向压降相对小些，功耗也低些，相对说不容易发热，但是最大缺点是耐压较抵，目前水平大概可以做到250V，而一般快恢复二极管轻易做到1000V甚至以上。

2018-08-06 - 技术问答

p fc的升压电路中，一般都会有一个快恢复二极管和i GB t匹配，那么这两个匹配的原则是什么？快恢复二极管如何选择？如何评价他们的匹配呢？

快恢复二极管，具有反向阻断时高耐压低漏电流，正向低通态电阻大电流的特点。由于作为开关使用，因此一般需要其开关速度较快。另外，适当选择续流二极管的特性，尤其是反向恢复特性，如反向恢复时间和反向恢复软度，能够显著减少开关器件、二极管和其他电路元件的功耗，并减小由续流二极管引起的电压尖峰、电磁干扰，从而尽量减少甚至去掉吸收电路。一般来说，快恢复二极管的正向压降小，0.4V左右，而普通的硅管在0.6V左右，为了降低损耗才用快恢复二极管。如果快恢复二极管反向击穿电压是40V，反向击穿之后能够快速恢复；如果快恢复二极管反向击穿电压1000V，则不存在反向击穿的问题，所以这点在直流电路中是可以不用考虑。

2018-12-24 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

开关二极管和快恢复二极管有什么应用上的区别吗？开关二极管是否就是小信号类的快恢复二极管？

快恢复二极管通常是用于高耐压、具有较快反向恢复时间的应用。开关二极管是具有超快反向恢复时间的肖特基二极管，通常是用于信号级电路。

2019-01-23 - 技术问答

mos管中体二极管与快恢复二极管性能差多少

这取决于你的mos管参数，这个二极管本身就用来保护mos管的，如果你加的快恢复是出于保护mos管的目的，这个二极管的参数和你要加的是差不多的。当电路中产生很大的瞬间反向电流时，就可以通过这个二极管导出，保护了MOS管的D极和S极。如果没有这个二极管，就有可能击穿这个MOS管了。由于MOS管工作频率比较高，所以它的寄生二极管工作频率也要高，就是说它的反向恢复时间很短（Trr)，所以也就相当于一个快恢复二极管了。

2018-11-21 - 技术问答

开关电源双管正激，输出整流二极管该如何选用

开关电源的输出二极管，一般会选择快恢复二极管或者肖特基二极管，首先需要确认电源的开关频率，频率越高，反向恢复时间则需要越短，其次是输出电压，由于肖特基二极管电压基本在200V以下，所以一般低压输出低Vf要求，推荐肖特基二极管，输出是高压，推荐快恢复二极管，世强电商平台目前代理的主要二极管品牌有Diotec，新电元和强茂，这些都是专业的二极管品牌，DIOTEC的资料参考：【选型】Diotec（德欧泰克）SMD封装的二极管/整流器选型指南；新电元的资料参考：【选型】Shindengen（新电元）功率器件选型指南；强茂的资料参考：【选型】PANJIT（强茂）SiC肖特基二极管/整流器/MOSFET/保护组件快速选型表。

2019-12-09 - 技术问答代理服务技术支持采购服务