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    这个问题需要结合实际的设计,假如以littelfus的1200v/80mΩ的LSIC1MO120E0080为例,参考规格书中第三页Reverse diode characteristics电性参数,其中持续电流最大为35A,峰值电流最大可承受85A,假如设计时的电流峰值电流值小于85A,那么无需再加一个单独的sic二极管;假如设计时的电流峰值电流值大于85A,那么就需再加一个1200V/峰值电流85A以上的单独的SIC二极管。

    创建于2019-04-15
  • feiwithout Lv7 . 资深专家 (0)
    性能是不一样的。mos管内部寄生的二极管的正向导通压降要比单独的碳化硅二极管的正向导通 压降要大。
    创建于2019-05-09
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