SILICON LABS隔离驱动芯片SI8235BD-D-IS的隔离电压是多少?驱动能力是多大?
-
创建于2019-04-19
4个回答
-
- 用户_6986 (0)
SILICON LABS的双通道隔离驱动芯片SI8235BD-D-IS,是专门针对于MOS管及sic mos管的隔离驱动芯片,单颗芯片可以实现高低侧的高速驱动,频率可达8MHz,同时简化设计,减小了pcb的体积;而且通过了aec-q100认证,确保芯片的可靠性。该芯片的隔离电压可达5.0kVrms,驱动能力可达4A。
- 创建于2019-04-19
-
- 张妞妞 Lv7 . 资深专家 (0)
- 换过max232吗?因为根据 Maxim datasheets 的内容,R1IN/R2IN的输入端在芯片内部有5KOhm的电阻到地。所以,如果R1IN/R2IN的输入端是没有驱动,R1OUT与R2OUT应该是输出高电平。是不是max232坏了?
- 创建于2019-04-19
-
- zhouyd Lv7 . 资深专家 (0)
- 看下用户手册啊,不是更方便
- 创建于2019-04-19
-
- 用户_9179 (0)
- 请亮出型号。
- 创建于2019-04-19
- |
- +1 赞 0
- 收藏
平台合作
相关推荐
Melexis的电机驱动芯片MLX81207驱动能力是多少?
Melexis的电机驱动芯片MLX81207能驱动200nC的MOSFET,可以应用于800W左右的BLDC项目设计。
Silicon Labs隔离驱动芯片SI8274GB1-IS1的欠压锁定电压是多少,是否支持5V供电?
Silicon Labs隔离驱动芯片SI8274GB1-IS1的欠压锁定电压是3V,支持5V供电。
驱动芯片SID11x2K的副边供电电压范围是多少?
驱动芯片SID11x2K的副边供电电压范围是22V到30V。
π141E31 的隔离电压是多少?
隔离芯片π141E31 属于窄体NB SOIC-16封装,能够满足的隔离电压是AC 3000Vrms,可以满足设计上的芯片原副边电气隔离;资料参考链接如下:https://www.sekorm.com/doc/3184035.html;
请问隔离驱动芯片SID1182K承受的母线直流电压为多大?
隔离驱动芯片SID1182K的爬电距离是9.5mm,利用IEC61800-5-1爬电距离和工作电压关系表确认,其工作电压有效值为950V,且满足加强绝缘,可承受 峰值工作电压为950V*1.414≈1343V。
【经验】浅谈SI8233与SI835双路隔离驱动芯片设计区别
目前Silicon Labs推出的具有双路隔离驱动芯片SI8233和SI8235,目前也是主流用在车载DC-DC,及OBC及各种电源拓扑中比较常见的两种驱动芯片,本文针对这两种驱动芯片在设计上的不同点做个简答的描述,设计者可以根据自身的设计需求去进行选择。
【经验】隔离驱动芯片SI8233做MOS管驱动时的注意事项
目前Silicon Labs 的隔离驱动芯片SI8233大量的用来做MOS管驱动,由于具有两路独立的驱动,并且支持原副边5V的隔离电压,每路的峰值驱动电流达4A,所以在电源类产品的拓扑半桥或者全桥电路,PFC都会考虑用SI8233做驱动设计。
【IC】基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350,能高效可靠地抑制碳化硅MOS误开通
基本半导体自主研发推出可支持米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片BTD25350,此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计,能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通,该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。
【应用】低成本SI8621光耦驱动芯片实现IGBT上下桥驱动互锁的一种方法
目前的一些工业逆变电源设计上可能会用到IGBT上下桥互锁的方式,由于目前光耦价格不是很便宜,而产品会有成本压力,这种实现互锁的方法可以通过Silicon Labs推出的SI8621驱动芯片相对低成本方案来实现。
【选型】如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片?
Silicon labs SI827x隔离栅极驱动器高达4A峰值驱动电流,业界最高的抗扰性能(200kV/μs)和闩锁免疫能力(400kV/μs)。最大60ns传输延迟,非常低的抖动200ps p-p。
【产品】基本半导体推出采用容耦隔离技术的单、双通道门极隔离驱动芯片,抗干扰能力达100V/ns
基本半导体针对多种应用场景研发推出单、双通道门极隔离驱动芯片,具有抗干扰能力强、传输延时低、可靠性高等优势,可适应不同的功率器件和终端应用,可适配耐压在1700V以内的功率器件的门极驱动,广泛应用于隔离式DC-DC/AC-DC电源、光伏逆变器等。
【应用】低成本电容驱动隔离芯片SI8660/SI8261,助力1kW伺服驱动器
传统1kW伺服驱动器逆变部分IPM隔离采用6颗单通道的光耦来实现,制动部分采用1颗驱动光耦来驱动制动IGBT单管,通常会遇到光耦成本过高的问题,本方案通过采用Silicon Labs推出的低成本的电容隔离驱动芯片SI8660/SI8261,不仅可以解决上述问题,同时可降低产品整体设计成本。
全碳化硅功率mos是否和igbt一样驱动需要负压?有没成熟的驱动芯片推荐?
SIC MOSFET驱动是需要负压的,而GaN FET是可以不用负压。成熟的SIC MOSFET驱动芯片,推荐Silicon Labs 的SI827x,可以参考:如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片?
世强你好,请推荐一款单通道光耦隔离驱动芯片,要求门驱动电源范围10V至40V、最大源输出电流2A以上、结温最高到150°C。
您好,推荐数明的隔离驱动芯片,是一款光兼容、单通道、隔离栅驱动器。满足门驱动电源范围10V至40V、最大源输出电流2.5A,结温范围-40~+150°C。资料请参考链接:https://www.sekorm.com/doc/2238344.html
【应用】高速开关、高共模抑制比隔离驱动芯片SI8275助力轨道交通电源小型化
伴随着高铁项目的飞速发展,轨道交通设备正面临着高效化、小型化的发展道路,轨道交通电源是轨道交通设备的核心,因此首先需要提升轨道交通电源的综合性能。本文将结合Siliconlabs的隔离驱动芯片SI8275,讨论其在轨道交通电源小型化上的应用。轨道交通电源主要通过将车载蓄电池的电压进行高效的降压处理后向机车的各个子系统供电。
电子商城
现货市场
服务

提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务,帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号,确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 成都 提交需求>

可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量: 100000 提交需求>