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EPC的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管EPC2016C、EPC2001C、EPC2045、 EPC2032的导通电阻RDS(ON)的温度特性是正温度系 数,规格书中有Tj结温度与导通电阻RDS(ON)的关系曲线。
EPC的氮化镓场效应晶体管EPC2112和EPC2012C以及EPC2016C的区别主要是?
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
【选型】EPC氮化镓场效应晶体管用于多线激光雷达,具备小封装,开关频率可达100MHz
某用户想研制一款多线激光雷达,主要应用于交通领域,想找一款效应晶体管用来驱动激光器,经过评估我们推荐了EPC氮化镓场效应晶体管EPC2221,它具备小封装,尺寸仅为1.35x1.35mm,开关频率可达100MHz。
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【应用】EPC的氮化镓场效应晶体管EPC2024用于1/4砖电源模块,峰值效率高达97%以上
本文重点介绍EPC硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管EPC2024应用于1/4砖DC-DC电源模块中的优势,其具有更宽带隙和电子迁移率,可轻松实现100V内ns级切换,开关频率可上至GHz;EPC2024用于二次侧同步整流,峰值效率高达97以上%。
【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式,你知道么?
EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W,而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。
面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介
本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及其集成电路的应用范围,包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势,如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时,提供了eGaN®SR系列产品的参数对比,并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外,还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。
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【应用】EPC硅基增强型氮化镓场效应晶体管助力800W砖电源应用,系统效率高达97.5%
本文重点介绍EPC硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管EPC2218应用于1/4砖DC-DC电源模块中的优势,具有更宽带隙和电子迁移率,可轻松实现100V内ns级切换,开关频率可上至GHz;提高电源功率密度,利于模块化设计,相比SMOS器件效率能提升2%以上;高耐压100V。
电子商城
现货市场
服务

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>