4个回答
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- 用户34872353 Lv7 (0)
- 推荐强茂的P型MOS管 PJA3409，资料参考链接：https://www.sekorm.com/doc/1575298.html；
- 创建于2019-10-24
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- 用户34872353 Lv7 (0)
- 建议参考ROHM的RQ5E030RP,资料参考链接：https://www.sekorm.com/doc/862413.html；
- 创建于2019-10-24
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- 用户34872353 Lv7 (0)
- 建议参考ROHM的P型MOS管QS5U33；资料参考链接：https://www.sekorm.com/doc/855239.html；
- 创建于2019-10-24
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- Sky Lv7 . 资深专家 (0)
- 我看你这个规格是-30伏的p管。给你推荐Goford 4953
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- 创建于2019-10-24
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1.种类；2、ID（持续和峰值）；3、PDM（最大耗散）；4、Rd（有时候要考虑）。 特别是前三个。 实际替换时，MOSFET的特性曲线往往有所不同，还要进行上电实测，光看指标不行。
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推荐扬杰科技的YJS4407A。详情：https://www.sekorm.com/doc/1948082.html
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【应用】国产MOS管PJA3461_R1_00001助力车库门遥控器设计，漏源电压最大额定值为-60V
车库门遥控器即为远程控制车库门启闭的装置，车库门遥控器通常采用遥控器中的无线电遥控器，通过对驱动电路的控制驱动mos管远程控制电机的转动装置，需要一颗接负载的低压mos提供转动电路解决方案。
【应用】40V/80A型N MOS管PJD80N04助力单火开关开态取电电路，最低导通阻抗仅5.5mΩ
强茂的大电流，低导通阻抗 N MOS管，PJD80N04，最大电压40V，最大负载电流可达80A，最低导通阻抗仅5.5mΩ，非常适合应用于单火开关中开态取电电路。
目前所说的GaN技术，主要是应用在哪种元器件上，MOS管吗？
GaN HEMT是高电子迁移率晶体管，本身就是与MOS类似的开关器件，但是结构与MOSFET有不同。具体可前往罗姆官网查看。
【应用】40V/2.5mΩ N沟道MOS管RS1G300GNTB助力180W手持式点胶机低损耗小体积设计
180w点胶机电机驱动板电路中主要使用三相全桥驱动三相无刷电机，开关功率器件主要是MOS管。本文推荐选择ROHM的N沟道MOS管RS1G300GNTB。VDS电压40V，满足电池12V~18V供电电压要求，并留有2倍耐压余量；导通电阻RDS（on）最大值为2.5mΩ，最大电流80A，同时满足堵转电流达到50A以上要求，实现低导通损耗。
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PANJIT推出的PJA138K为50V N沟道增强型MOSFET ,带ESD保护。额定电压50V， 额定电流500mA。采用SOT23封装。
在气体流量计项目中，需要设计一个组合的上电控制电路。控制MCU上电和IO口电源配置，之前使用的N MOS和P MOS的分立方案，为简化设计最终选择了N+P MOS的组合方案，且导通电压最低±0.5V，典型值±1V，有满足设计需求的方案吗？
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单火开关上的开态取电电路的那个MOS，如果我要做支持2000W以上的灯，这个MOS要选多大规格？
单火方案，开态取电电路的MOS，主要是做开态取电的，其工作分正负两个周期，其中只有负周期才工作，插座的电压是220V，2000W负载的话，那电流就是10A，因此只要选一个负载电流在10A以上的MOS就行了，导通阻抗尽量小。可以参考我强茂的Nmos管PJD80N04，负载电流可达80A
【选型】ROHM超级结MOS管性能分析和选型参考
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车载水泵项目上，半桥结构部分需要一颗耐压值100V的MOS管，要求导通内阻小于40mΩ，是否有合适的方案推荐？
你好，可以评估一下强茂的方案：PJQ5476AL_R2_00001，此方案耐压值100V,导通内阻低至20mΩ，详细评估资料如下：https://www.sekorm.com/doc/1575195.html。
【选型】强茂双N沟道MOS管2N7002KDW可Pin-Pin替代MCC的2N7002KDW，具有4Ω更低导通电阻
某客户在信号控制电路中选用了MCC公司的双N沟道MOS管2N7002KDW，不过因供货周期和价格压力，急需一款低成本、供货周期好的替代产品，本文重点推荐PANJIT（强茂）的2N7002KDW，可Pin-to-Pin替代，且具有更低导通电阻及更小总门极电荷，有利于降低功率损耗和提高开关速度。
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品牌：PANJIT
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