利用WSD软件配置SI4438 LDC模式，发现配置出来的RX接收时间只有7ms左右；而我设置的RX

利用WSD软件配置si4438 LDC模式，发现配置出来的RX接收时间只有7ms左右；而我设置的RX时间为30ms，sleep时间为970ms，未修改生成的config.h任何定义，想知道为什么时间不对啊
创建于2019-11-06

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layne_liu_世强 (0)

关于si4438 LDC功能的时间设置问题，可以参考链接的回复内容，有相关的处理办法和代码，请参考FAQ：使用C版本SI4438器件时，通过WDS3【3.2.11.0】软件生成的LDC_RX工程或配置文件，时间周期step_size_adjust配置不起作用，即寄存器【GLOBAL_WUT_R】无效。

创建于2019-11-06
- 用户49334103：我使用的是B版本的芯片，发现好多，按照你说的这个来做，结果还是不行啊
  
  2019-11-07

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si4438 LDC模式已经配置完成测试波形、时间也OK；但是关闭LDC模式，设置为RX状态，测试收发功能，发现收不到数据；经过调试config.h文件，能够进行收发，但是调成LDC模式时，RX时间变成了设置时间的1/3；调整的部分为下图：为0x10时，收发正常；为0x32时，LDC模式，rx时间长度正常；想知道这是为什么？这个字节做什么用，怎么调试？

1、Silicon Labs公司的小无线收发器Si4438 的LDC低功耗实现可以参考：【经验】如何配置寄存器，实现无线收发器LDC低功耗接收功能？2、如果需要关闭LDC功能的时候，可以通过命令配置1）设置GLOBAL_CLK_CFG属性中的CLK_32K_SEL=0;关闭32Khz时钟；2）设置GLOBAL_WUT_CONFIG寄存器，恢复没有开启LDC功能时候的值，从而彻底关闭WUT功能。3、提示，不建议手动修改带MODEM字样的寄存器，这些寄存器需要用WDS软件自动生成。

2019-11-04 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

无线收发器Si4438配置LDC模式时，设置的WUT时间和LDC时间之间的包含关系是怎样的？

无线收发器Si4438配置LDC模式时，有RX和Sleep两种状态，在两种模式之间切换，整个周期=RX状态时间+Sleep时间，即WUT时间与LDC时间之和就是周期时间。

2016-10-25 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

在使用Si4438无线收发器的时候，进入LDC模式下，设置前导码为8个字节。在唤醒接收的时间段内，如果收到了前导码，是收到了1个字节的前导码，在此模式下如何实现低电流低功耗？

silicon labs公司的无线收发器si4438, 如果不带DSA模式，LDC工作原理可以参考这个文档，【经验】如何灵活利用LDC模式实现低电流无线收发器SI4438低功耗？https://www.sekorm.com/news/10340.html

2020-04-24 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

请问SI4438 的LDC RX 模式的时候，WDS配置出来，默认是需要几个字节的前导码，才可以唤醒？

WDS默认配置出来的唤醒周期是多少？速率是多少？可以计算下：整个工作周期（秒） * 数据率（秒）/ 8 = 前导字节数量。

2018-12-25 - 技术问答

SI4438 c版请问在代码中如何设置发射功率。因为WDS里配置为LDC RX，并没有PA 功率可以设置。所以请问代码中如何设置

Silicon Labs的Sub-GHz无线收发器Si4438-C2A可以通过配置PA_PWR_LVL寄存器配置发射功率，0x7F表示最高，20dbm。可以查看Si4438的数据手册（英文版）第五章，获取PA功率与寄存器值的对应关系

2019-04-04 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

SOUTHCHIP通用DC-DC稳压器选型表

南芯提供降压升压稳压器选型，电压输入范围从0.6V~5V，输出电压范围覆盖3V~36V，提供了从1.2A~20A+的输出电流选项，工作频率从80kHz~2.2MHz

产品型号	品类	VIN (min)	VIN (max)	Vout (min)	Vout (max)	Iout(Max)	MOS	Switching frequency(Min)(kHz)	Switching frequency(Max)(kHz)	Package
SC8701	Buck-Boost Regulators	2.7V	36V	2.7V	36V	5A~10A	ext.	200kHz	600kHz	QFN 4x4

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龙夏电子MOSFET选型表

龙夏电子提供以下参数的MOSFET：Polarity：N,N+P；Configuration：Single，Dual；Package：TO-252、TO-220F、TO-263、TO-247等多种封装；VDS(V)：20V~800V；VGS(±V)：12V~30V；ID(A)@25°C：4A~372A；RDS(ON)(mΩ)TYP@10V：0.37mΩ~780mΩ；EAS(mj)：13mj~7482.25mj；Rg(Ω)：0.37Ω~20Ω；Ciss(pF)：6pF~16974pF；Coss(pF)：41pF~4863pF;Crss(pF):2pF~723pF

产品型号	品类	Polarity	Configuration	Package	VDS(V)	VGS(±V)	ID(A)@25°C	EAS(mj)
LR038N02T9	MOSFET	N	Single	PDFN3*3	20V	12V	80A	182.25mj

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瑞之辰MOSFET选型表

瑞之辰提供关于MOSFET的以下参数选型：电压：600V-1200V，连续漏极电流：10~800A，最大功率：15-686W，导通电阻：1.8mΩ@18V,225A，BVDSS：-30V-60V，VGS：±12V-±20V，ID@25℃:-10A-130A，VGS（TH）：-2.5V-2.5V，PD：1.5W-150W，Configuration：Single、Dual、Complementary

产品型号	品类	电压	连续漏极电流	最大功率	导通电阻
RNJ120R16C2	高功率MOSFET	1200V	90~127A	119W	13.5mΩ@18V,127A

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韬略科技双线平衡滤波器选型表

韬略科技提供双线平衡滤波器的选型：Chip Size：0603、0805、1206、1210；SRF(MHz)：35~900MHz；Rated Voltage (V)：10~500V；Capacitance (A/B)：50~50000 pF

产品型号	品类	Chip Size	SRF(MHz)	Rated Voltage (V)	Capacitance (A/B)	Tolerance
BDL0603S035V100T	双线平衡滤波器	0603	35	10	50000 pF	±20%

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FETeK（上海东沅）MOSFET选型表

FETeK（上海东沅）提供MOSFET的参数选型，VDS(V)：-150~200，Configuration：Single和Dual。

RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=10V

RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=4.5V

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创飞芯源IGBTs选型表

创飞芯源提供如下IGBTs的参数选型，Configuration：IGBT with Anti-Parallel Diode，VCE(max) V：600，650和1200，IC(max)(A)25°C A：10~320。

Switching Frequency KHz

封装

CFT8B60M

IGBTs

IGBT with Anti-Parallel Diode

选型表 - JESTEK 代理服务技术支持采购服务立即选型

智晶光电OLED显示屏选型表

智晶光电OLED显示屏选型表，Craft主要COG和COF，其余主要从Pixel Number(Px)、Color、Panel Size(mm)、Active Area(mm)、Interface、Pixel density（PPI）几个维度进行选型。

产品型号	品类	Diagonal Size	Craft	PixelNumber(Px)	Color	Panel Size(mm)	Active Area(mm)	Interface
UG-6032CSWBGA1	OLED显示屏	1.81”	COG	32×160Px	White(16 Gray Scales)	55.30mm14.94mm0.30mm	45.096mm*9.00mm	SPI,I2C