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- 推荐 【应用】低损耗的sic功率模块bsm600d12p3G001用于电驱的逆变设计，可提升开关频率并降低损耗https://www.sekorm.com/news/58866422.html
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国产半导体有SIC模块么，1200V/600A，可以跟ROHM-BSM600D12P3G001等封装替换的
您好，目前世强代理的国产SIC mos 模块品牌中，暂时没有1200V/600A，世强代理国产基本半导体的车规sic mos 模块，BMB200120P1，单模块采用半桥拓扑结构，内部集成两单元 1200V/200A 碳化硅 MOSFET 和碳化硅续流二极管，参考资料介绍：https://www.sekorm.com/news/94186066.html
罗姆的全碳化硅模块的内部结构构成是怎样的?有什么好处?
关于ROHM的Sic产品，可以参考文档“ROHM（罗姆）SIC碳化硅功率元器件介绍”。
有没有罗姆的全碳化硅模块BSM300D12P2E001的资料和应用参考?
你好，世强平台有关于BSM300D12P2E001的相关资料，详细请参考：https://www.sekorm.com/product/51891.html
目前项目在测试ROHM BSM600D12P3G001做双脉冲的时候发现上下半桥驱动波形有差异，可能的原因？
BSM600D12P3G001内部的半桥SIC MOS是对称布局的，从模块内部来看不会存在差异没可能原因是外部驱动回路上不对称的寄生电感造成的，建议检查下上下桥驱动回路，最好做到一致。
汽车电驱项目，功率比较大，需求1200V 600A 半桥SIC MOS模块，是否有合适推荐？
推荐ROHM 1200V 600A 半桥模块BSM600D12P3G001，G type封装，资料链接：https://www.sekorm.com/doc/2100055.html。
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例：可显著改善效率和功率密度
碳化硅功率器件的不断发展，为光伏逆变器的性能提升和成本优化带来了新的可能。碳化硅器件应用于大功率集成度要求高的场合，可显著改善微型逆变器效率和功率密度。本文SMC介绍碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例。
SiC MOSFET具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，广泛应用于光伏逆变器、UPS等
SiC MOSFET相比于IGBT具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，尤其适合对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用。
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（中文）
SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。
ROHM - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。
萃锦高效SiC器件具有低损耗、开关频率高的特点，契合感应加热的高频应用环境
萃锦开发的 SiC MOSFET 优化了元胞结构，具有导通损耗低，开关损耗小，开关频率高，契合感应加热的高频应用环境。萃锦 SiC Diode 反向恢复性能优，正向导通压降值低，损耗小。在结温175℃时，萃锦器件阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，导通损耗低，适合感应加热的高温应用特点。
科普 | 碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来
光伏发电是碳化硅器件除电动汽车以外的第二大应用领域。光伏逆变器作为光伏电站的转换设备，主要作用是将太阳电池组件产生的直流电转化为交流电。本文中SMC将为大家分析碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来，希望对各位工程师朋友有所帮助。
1700V SiC MOSFET在低功率辅助电源中的应用，具有更轻便、更低成本的特点
650V-1200V碳化硅功率器件的市场应用越发普遍。随着额定电压为1700V-3300V的功率器件的推出，碳化硅半导体技术的众多优势已惠及电源、储能、电车、工业应用等各个细分市场。SMC在650V-1700V SiC MOSFET的研发与生产上均有所规划，并将于2024年下半年实现大批量量产。
一文看懂瑞之辰SiC MOSFET相对于IGBT器件的优势
在功率电子领域，相较于传统的绝缘栅双极晶体管（IGBT），碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐渐受到业内关注，成为行业的焦点。碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，目前瑞之辰旗下的碳化硅产品线包括SiC PIM大功率模块、SiC IPM智能功率模块和SiC MOSFET—TO247-4PHC器件（直插和贴装两种）。
中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势
为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。
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