BC847BL3 NPN硅AF晶体管

ABC856AW-HF直通ABC858CW-HF（PNP）通用晶体管

本资料介绍了通用晶体管ABC856AW-HF至ABC858CW-HF的特性。这些晶体管适用于AF输入级和驱动器应用，具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压和低噪声等特点。资料提供了详细的电气特性曲线、最大额定值、机械数据、封装规格和标记代码。

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KC846S（BC846S）NPN硅AF晶体管阵列

本资料介绍了NPN硅晶体管阵列（KC846S/BC846S）的电学特性和应用。该产品适用于音频输入级和驱动器应用，具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压等特点。

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BCX70硅外延平面晶体管

本资料介绍了硅外延平面晶体管BCX70的产品规格。该产品适用于AF输入级和驱动器应用，具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压等特点。资料提供了最大额定值、电气特性、典型特性以及封装信息。

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BCX70硅外延平面晶体管生产规范

本资料介绍了硅外延平面晶体管BCX70的生产规格、电气特性、典型特性和封装信息。该产品具有低集电极-发射极饱和电压、低噪声等特点，适用于AF输入级和驱动器等应用。

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IRF450重复雪崩和dv/dt额定HEXFET®晶体管通孔（TO-204AA）

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IRF240重复雪崩和dv/dt额定HEXFET®晶体管通孔（TO-204AE）

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IRFF9130重复雪崩和dv/dt额定HEXFET®晶体管通孔TO-205AF（TO-39）

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带超快软恢复二极管的IrgIb60kDPBF绝缘栅双极晶体管

该资料详细介绍了IRGIB7B60KDPbF型号的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的特性。该IGBT具有低VCE（on）非穿通技术，10µs的短路能力，以及正VCE（on）温度系数。其最大结温为175°C，适用于电机控制等应用。

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绝缘栅双极晶体管IRG4BC20WPbF

本资料主要介绍了IRF公司的一款MOSFET产品，详细描述了其电气特性、热特性、开关损耗等关键参数，并提供了测试电路图和安装说明。

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IRFF420 JANTX2N6794 JANTXV2N6794重复雪崩和dv/dt额定HEXFET®晶体管

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绝缘栅双极晶体管IRG4PC50KPbF

本资料详细介绍了IRG4PC50KPbF功率MOSFET的特性，包括其基础型号、封装类型、标准包装、订购型号、形式和数量。资料还提供了产品的电气特性，如最大直流集电极电流、集电极-发射极电压、栅极驱动、开关损耗、热响应和电容等参数。

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绝缘栅双极晶体管IRG4PH30KPbF

该资料是一份关于IRFPE30整流器的产品信息，包括产品编号、装配信息、日期代码、封装类型以及公司联系方式。

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IRF054重复雪崩和dv/dt额定HEXFET®晶体管

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带超快软恢复二极管的IRGIB10B60KD1P绝缘栅双极晶体管

本资料详细介绍了IRGIB10B60KD1P型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的特性，包括其低VCE（on）非穿通IGBT技术、低二极管VF、10μs短路能力、方形RBSOA、超软二极管反向恢复特性等。该产品适用于电机控制等领域，具有高效能、坚固的瞬态性能和低EMI等优点。

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