【选型】国产N沟道增强型2N7002K可替代2N7002,内置ESD保护二极管,漏极持续电流为300mA

2021-11-06 世强
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由于最近FAIRCHILD最近供货紧张,不少客户寻求国产替代方案,在满足性能的同时硬件也要求兼容,从而满足直接替换而不需要改板的要求。PANJIT公司的N沟道增强型MOSFET 2N7002K,内置了ESD保护二极管,采用先进的沟槽处理技术,高密度单元设计实现超低导通电阻。该器件漏源电压为60V,漏极持续电流为300mA,最大耗散功率为350mW(TA=25℃时),采用SOT-23封装,符合欧盟RoHS 2.0标准。本文主要介绍国产车规级N沟道增强型 2N7002K替代2N7002的可行性。


国产车规级N沟道增强型 2N7002K 替代2N7002性能参数对比

从上表中不难看出,N沟道增强型 2N7002K 的连续漏源电流高,ESD静电防护更好,其他参数基本一致,可替代2N7002。


 2N7002K &2N7002脚定义对比,不难看出IO口的定义相同,都是采用SOT-23封装。从PIN脚定义上来看二者完全兼容。从封装尺寸上来看,二者的焊盘完全兼容。综上所述,2N7002K &2N7002,PIN TO PIN兼容。

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