【选型】国产N沟道增强型2N7002K可替代2N7002，内置ESD保护二极管，漏极持续电流为300mA
由于最近FAIRCHILD最近供货紧张，不少客户寻求国产替代方案，在满足性能的同时硬件也要求兼容，从而满足直接替换而不需要改板的要求。PANJIT公司的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管，采用先进的沟槽处理技术，高密度单元设计实现超低导通电阻。该器件漏源电压为60V，漏极持续电流为300mA，最大耗散功率为350mW（TA=25℃时），采用SOT-23封装，符合欧盟RoHS 2.0标准。本文主要介绍国产车规级N沟道增强型 2N7002K替代2N7002的可行性。
国产车规级N沟道增强型 2N7002K 替代2N7002性能参数对比
从上表中不难看出，N沟道增强型 2N7002K 的连续漏源电流高，ESD静电防护更好，其他参数基本一致，可替代2N7002。
2N7002K &2N7002脚定义对比，不难看出IO口的定义相同，都是采用SOT-23封装。从PIN脚定义上来看二者完全兼容。从封装尺寸上来看，二者的焊盘完全兼容。综上所述，2N7002K &2N7002，PIN TO PIN兼容。
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品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
价格：￥1.1300
现货： 5,000
现货市场
品牌：PANJIT
品类：Ultra Low Capacitance TVS/ESD Protection
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