【选型】国产N沟道增强型2N7002K可替代2N7002,内置ESD保护二极管,漏极持续电流为300mA
由于最近FAIRCHILD最近供货紧张,不少客户寻求国产替代方案,在满足性能的同时硬件也要求兼容,从而满足直接替换而不需要改板的要求。PANJIT公司的N沟道增强型MOSFET 2N7002K,内置了ESD保护二极管,采用先进的沟槽处理技术,高密度单元设计实现超低导通电阻。该器件漏源电压为60V,漏极持续电流为300mA,最大耗散功率为350mW(TA=25℃时),采用SOT-23封装,符合欧盟RoHS 2.0标准。本文主要介绍国产车规级N沟道增强型 2N7002K替代2N7002的可行性。
国产车规级N沟道增强型 2N7002K 替代2N7002性能参数对比
从上表中不难看出,N沟道增强型 2N7002K 的连续漏源电流高,ESD静电防护更好,其他参数基本一致,可替代2N7002。
2N7002K &2N7002脚定义对比,不难看出IO口的定义相同,都是采用SOT-23封装。从PIN脚定义上来看二者完全兼容。从封装尺寸上来看,二者的焊盘完全兼容。综上所述,2N7002K &2N7002,PIN TO PIN兼容。
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ1938
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Small Signal MOSFET
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DFN1006-3L
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New Product
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电子商城
品牌:PANJIT
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价格:¥0.1090
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品牌:PANJIT
品类:Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
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