【产品】55V/94A功率 MOSFET，静态导通电阻为2.5mΩ
P94FG5R5SL是新电元（SHINDENGEN）公司推出的一款表面贴装器件（SMD）功率MOSFET器件。该功率MOSFET器件采用4.5V栅极驱动，具有较低的静态导通电阻、低电容特性，其存储温度范围为-55~150℃。在Tch=25℃的测试条件下，P94FG5R5SL的单脉冲雪崩电流为61A，单脉冲雪崩能量可达390mJ，能够有效的抑制雪崩效应。此外，该功率MOSFET器件的漏源电压为55V，栅源电压为±20V，连续漏极电流为94A，连续漏极电流峰值为376A。
P94FG5R5SL功率MOSFET的全功率损耗为156W。在直流连续漏极电流为47A，栅源电压为10V的测试条件下，静态导通电阻典型值为2.5mΩ。此外，P94FG5R5SL的输入电容典型值为7170pF，反向传输电容典型值为415pF，输出电容典型值为770pF。
P94FG5R5SL开关的速度较高，其开启延迟典型值为9.5ns、上升时间典型值为50ns、关断延迟典型值为100ns，下降时间典型值为65ns。P94FG5R5SL采用FG（TO-263AB）封装, 尺寸大小为15.0mm×10.2mm×4.44mm。
图1 功率MOSFET P94FG5R5SL实物图
功率MOSFET P94FG5R5SL特点：
·漏源电压为55V，栅源电压为±20V；
·连续漏极电流为94A，连续漏极电流峰值为376A；
·全功率损耗为156W；
·总栅极电荷典型值为140nC；
·单脉冲雪崩电流为61A，单脉冲雪崩能量高达390mJ（Tch=25℃）
·静态导通电阻典型值为2.5mΩ（ID=47A，VDS=10V）；
·采用FG（TO-263AB）封装, 尺寸大小为15.0mm×10.2mm×4.44mm；
·存储温度范围：-55~150℃。
技术顾问：惠惠
世强元件电商版权所有，转载请注明来源和链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 7
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
评论
全部评论（7）
-
![]()
![]()
康波周期 Lv7. 资深专家 2019-05-15我们沿用一款电源芯片很久，一直都在寻找性价比高的带LIN通讯端口的5V稳压电源块， -
![]()
![]()
terrydl Lv9. 科学家 2018-08-15这个可以 -
![]()
![]()
watson Lv7. 资深专家 2018-07-19挺不错的 -
![]()
![]()
feiwithout Lv7. 资深专家 2018-04-27该器件应用于什么场合呢？- 世小强回复： 您好，相关技术问题可到“技术难题”频道提问，我们有专家团队为您提供专业的解答！
-
![]()
用户18396822 Lv8 2018-03-18不错 -
![]()
![]()
长春的卡卡 Lv5. 技术专家 2018-02-11因为内阻小，损耗在芯片上的功率就小吧 -
![]()
![]()
mcu361 Lv6. 高级专家 2018-02-06为什么怎么小的引脚可以过90多安的电流？- 世小强回复： 您好，相关问题请到“技术难题”频道提问，我们有专家团队为您专业解答！
相关推荐
【产品】400V，9A的高压N沟道功率MOSFET，大功率电路设计首选
新电元的P9B40HP2是一款SMD封装的N沟道功率MOSFET，兼具小尺寸、低噪音等优点，其结壳热阻θjc最大值仅为3.12℃/W，可用于开关电路、驱动器、逆变器等电子电路中。
【产品】100V/30A功率 MOSFET，全功率损耗为44W
SHINDENGEN的功率MOSFET P30B10EL，输入电容2000pF，表面贴装器件，4.5V栅极驱动，满足大功率驱动应用需求。
【产品】120V/100A功率 MOSFET，全功率损耗为238W
新电元的功率MOSFET P100FP12SNK，单脉冲雪崩能量达373mJ，采用10V栅极驱动，可满足大功率驱动应用需求。
【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计
恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。
【经验】延长40V/130A六合一MOSFET模块使用使用寿命小技巧
Shindengen MG005G 40V/130A六合一MOSFET模块，不但可以解决模块散热的问题，还可以最大程度上减小PCB板面积。
【产品】50V，80A的N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值仅为3mΩ
新电元的P80FH5ENK 是一款由FH封装的N沟道功率MOSFET，它拥有结壳热阻小，静态漏源导通电阻低，开关速度快以及电容低等优势，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
【产品】高di/dt耐久性的600V/7A功率 MOSFET
新电元（Shindengen）公司推出的功率 MOSFET P7FH60HP2，采用表面贴装（SMD），具有高电压、低电容、高雪崩耐久性、高di/dt耐久性等优点。单脉冲雪崩能量为40mJ，漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs，可满足一般功率驱动应用需求。
【产品】600V/15A功率 MOSFET，漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs
新电元推出的低电容功率 MOSFET P15FH60HP2，全功率损耗为175W，单脉冲雪崩能量为65mJ，可满足一般电源系统的设计要求，适用于电源故障检测器、电池备用电路等应用。
【产品】100V三引脚N沟道功率MOSFET，总损耗功率最大值仅为35W
新电元的P22F10SN是一款采用FTO-220AG三引脚封装的N沟道功率MOSFET，它拥有绝缘封装、低导通电阻、10V门驱动以及低电容等特长，主要用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理。
【产品】500V/5A的N沟道功率MOSFET，集成高速二极管
P5F50HP2F是Shindengen推出的功率MOSFET，其总栅极电荷10.5nC，高速源极-漏极二极管反向恢复时间为70ns。
【产品】40V，60A的N沟道功率MOSFET，零门极电压漏电流最大仅1uA
新电元的P60B4EL是一款N沟道功率MOSFET，其导通延迟时间td（on)典型值为10ns，静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为4.6mΩ（ID＝30A,VGS＝4.5V），主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
【产品】导通延迟时间仅7ns的N沟道功率MOSFET，高频开关电路首选
新电元的P20B12SN是一款120V，20A的N沟道功率MOSFET，其静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为33mΩ,器件具有高电压、高能效、低R（DS）ON和低电荷等优势，专为负载/电源开关、电机控制、DC-DC转换和继电器驱动应用而设计。
【产品】50V抗雪崩N沟道MOSFET，单脉冲雪崩能量达245mJ
新电元的P70F5EN是一款采用FTO-220AG三引脚绝缘封装的N沟道MOSFET，其主要优势在于拥有低静态漏源导通电阻以及极高的单脉冲雪崩能量，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
【产品】高耐压低噪声的600V/0.5A的MOSFET
新电元的P0R5B60HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET，总门极电荷Qg典型值仅为4.3nC，有着较好的开关性能。可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
【产品】导通电阻仅0.29Ω的N沟道高耐压MOSFET，大功率电源及充电器设计首选
新电元的P20FH50HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET，适合大功率电源以及充电器设计等应用。器件功耗最大值为175W，可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
电子商城
现货市场
服务
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
提交需求>
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量： 1支 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论