【产品】55V/94A功率 MOSFET，静态导通电阻为2.5mΩ
P94FG5R5SL是新电元（SHINDENGEN）公司推出的一款表面贴装器件（SMD）功率MOSFET器件。该功率MOSFET器件采用4.5V栅极驱动，具有较低的静态导通电阻、低电容特性，其存储温度范围为-55~150℃。在Tch=25℃的测试条件下，P94FG5R5SL的单脉冲雪崩电流为61A，单脉冲雪崩能量可达390mJ，能够有效的抑制雪崩效应。此外，该功率MOSFET器件的漏源电压为55V，栅源电压为±20V，连续漏极电流为94A，连续漏极电流峰值为376A。
P94FG5R5SL功率MOSFET的全功率损耗为156W。在直流连续漏极电流为47A，栅源电压为10V的测试条件下，静态导通电阻典型值为2.5mΩ。此外，P94FG5R5SL的输入电容典型值为7170pF，反向传输电容典型值为415pF，输出电容典型值为770pF。
P94FG5R5SL开关的速度较高，其开启延迟典型值为9.5ns、上升时间典型值为50ns、关断延迟典型值为100ns，下降时间典型值为65ns。P94FG5R5SL采用FG（TO-263AB）封装, 尺寸大小为15.0mm×10.2mm×4.44mm。
图1 功率MOSFET P94FG5R5SL实物图
功率MOSFET P94FG5R5SL特点：
·漏源电压为55V，栅源电压为±20V；
·连续漏极电流为94A，连续漏极电流峰值为376A；
·全功率损耗为156W；
·总栅极电荷典型值为140nC；
·单脉冲雪崩电流为61A，单脉冲雪崩能量高达390mJ（Tch=25℃）
·静态导通电阻典型值为2.5mΩ（ID=47A，VDS=10V）；
·采用FG（TO-263AB）封装, 尺寸大小为15.0mm×10.2mm×4.44mm；
·存储温度范围：-55~150℃。
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康波周期 Lv7. 资深专家 2019-05-15我们沿用一款电源芯片很久，一直都在寻找性价比高的带LIN通讯端口的5V稳压电源块， -
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terrydl Lv9. 科学家 2018-08-15这个可以 -
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watson Lv7. 资深专家 2018-07-19挺不错的 -
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feiwithout Lv7. 资深专家 2018-04-27该器件应用于什么场合呢？- 世小强回复： 您好，相关技术问题可到“技术难题”频道提问，我们有专家团队为您提供专业的解答！
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用户18396822 Lv8 2018-03-18不错 -
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长春的卡卡 Lv5. 技术专家 2018-02-11因为内阻小，损耗在芯片上的功率就小吧 -
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mcu361 Lv6. 高级专家 2018-02-06为什么怎么小的引脚可以过90多安的电流？- 世小强回复： 您好，相关问题请到“技术难题”频道提问，我们有专家团队为您专业解答！
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