【经验】升压芯片LC3312D设计应用指南
本文岭芯微电子将介绍升压芯片LC3312D的设计应用指南,希望有助于硬件工程师参考学习。
一、升压芯片LC3312D简介:
输入电压范围2.5-24V
最高输出电压28V
高精度的参考电压VREF:0.6V
内部集成80mΩ功率MOSFET
开关频率为1.2M
内部限制开关管的峰值电流为3A
内部补偿,无需外部补偿原件
过温关断
封装为SOT23-6
二、典型应用电路:
三、设计实例
系统输入输出规格参数 如下:
输入电压:VIN=8V~20V,典型值为12V;
输出电压:VOUT= 24V;
输出电流:IOUT=1A;
转换效率:η=90%;
输出电压纹波:1%*VOUT;
芯片选用LC3312D;
开关频率:FSW=1.2MHz。
选择电感:
选择电感量为6.8uH
选择电感饱和电流为5A
计算输入电容:
选择CIN容量100uF,RMS电流大于198mA,耐压大于等于35V。
计算分压电阻:
假定R1=5.1K;
选择R1=5.1K,R2=200K,1%精度。
续流二极管选择:
二极管额定电流:ID=1.5*IOUT=1.5*1=1.5A
反向耐压:24V*1.3=31.2V
选择3A,40V肖特基。
选择输出电容:
输出电容容量:
VCOUT≥1.5*VOUT=1.5*24V=36V
选择50V,100uF,RMS电流大于1433mA电解电容。
四、PCB设计注意事项
VIN,GND,SW,VOUT+,VOUT-是大电流途径,注意走线宽度,减小寄生参数对系统性能影响;
输入电容靠近芯片VIN与GND放置,电解电容+贴片陶瓷电容组合使用;
FB走线远离电感与肖特基等有开关信号的地方,哪里需要稳定就反馈哪里,FB走线使用地线包围较佳;
芯片、电感、肖特基为主要发热器件,注意PCB热量均匀分配,避免局部温升高。
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