【产品】N沟道MOS管DC025NG-L漏源电压30V，连续漏极电流25A

时间： 2023-04-29 来源：杜因特

技术问答

杜因特推出的N沟道MOS管 DC025NG-L采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的R_DS(on)和低栅极电荷特性。该器件采用TO-252封装，可提供良好的散热性能。该器件适用于多种应用，支持绿色环保。

封装图和示意图：

特点：

1）V_DS=30V, I_D=25A, R_DS(ON)＜25mΩ@V_GS=10V

2）低栅极电荷

3）提供绿色器件

4）采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低的R_DS(ON)

5）采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能

绝对最大额定值（除非另有说明，否则T_A=25℃）：

热性能：

封装标记和订购信息：

电气特性（除非另有说明，否则T_J=25℃）：

注：

1. 数据通过表面贴装在1平方英寸FR-4板上的2OZ铜进行测试

2. 数据经脉冲测试所得，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

3. EAS数据显示最大额定值。测试条件为V_DD=25V, V_GS=10V, L=0.1mH, I_AS=12.7A

4. 功率耗散受150℃结温限制

5. 数据理论上与I_D和I_DM相同，但在实际应用中，应受到总功耗的限制

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产品型号	品类	VDSS(V)(MIN)	ID(A) at 25℃	VGS(V)(MAX)	Ciss(pF)(TYP)	RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)	RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
DB010NG	MOSFET	20V	30A	12V	990pF	8MΩ	10MΩ