【产品】40V/6A的增强模式P沟道MOSFET管芯CP771，饱和导通内阻48mΩ
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
Central Semiconductor公司推出了一款增强模式P沟道MOSFET管芯CP771，其漏源电压为40V，栅源电压为25V，稳态连续漏源电流为6A，tp =10μs测试条件下最大脉冲漏源电流可达到20A，可以避免浪涌电流造成器件的损坏。增强模式P沟道MOSFET管芯CP771的饱和栅源电流100nA，饱和漏源电流最大1uA，栅源导通电压范围为1V~3V， 其饱和导通内阻只有48mΩ，导通漏源电压只有1.2V，栅极电荷为3.2nC，低导通电阻和栅极电荷特性有着较低的导通损耗，有利于提高产品效率和降低芯片热功耗；可应用于电源管理、负载切换、电机驱动和DC-DC转换等场合。
图1 增强模式P沟道MOSFET管芯CP771封装示意图
增强模式P沟道MOSFET管芯CP771外部采用金属化结构，尺寸为薄型几何结构55 x 32 MILS，厚度只有7.5MILS，尺寸小，功率密度大。其在ID=1A的标准下，导通时间为18ns，关断时间为64ns，高速的开关都能够减小实际应用中的波形失真。增强模式P沟道MOSFET管芯CP771的操作和储存结温温度范围为：-55~150℃，工作温度范围很广，能够满足恶劣环境工作要求，降低热故障。
图2 增强模式P沟道MOSFET管芯CP771特性曲线图
增强模式P沟道MOSFET管芯CP771的产品特性及优势：
•低导通电阻
•薄型几何结构
•低栅极电荷
•适用于标准芯片的金属化连接技术
•高漏极电流密度
增强模式P沟道MOSFET管芯CP771的主要应用：
•电源管理
•负载切换
•电机驱动
•DC-DC转换
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