【产品】功耗低,片上资源丰富的微控制器 ,PWM波分辨率高达0.98ns
RL78/I1A系列微控制器是瑞萨半导体公司的一款专注于低功耗产品设计的微型控制器,具有功耗低,外设资源丰富,内部能够产生高分辨率PWM波的特点,使得其非常适合应用于LED照明设备与数字供电设备。
RL78/I1A系列微控制器采用的16-bit的RL78 CPU内核,此内核具有精简指令集结构,3段流水线的特点,并且其86%的指令执行周期为1到2个时钟周期。器件内部有三个16-bit的定时器,并且能够通过其64MHz(利用锁相环)的定时器和消抖模块产生分辨率高达0.98ns的PWM波,支持LED照明设备的精细调光与调色。RL78/I1A系列微控制器继承了RL78系列极低功耗的特点,其功耗管理模块通过协调PWM定时器与比较器/外设中断使得系统硬件功耗降到最低。在微控制器正常工作时,工作电流低至3.3mA。并且当系统处于等待UART模块通信状态下,系统电流消耗更是低至0.23μA。RL78/I1A系列微控制器还拥有丰富的外设,11通道的ADC模块、响应速度高达70ns的比较器、片上温度传感器等模拟外设以及GPIO等数字模块,极大的丰富了芯片系统的功能。另外,芯片上的I2C,SPI/CSI,UART,LIN等通信总线,使得芯片更容易与外部设备通信交流。
RL78/I1A系列微控制器采用LSSOP和SSOP两种封装形式,有64KB(4KB)和32KB(2KB)两种FLASH(RAM)规格,具体选型信息如图2所示,用户可根据自己设计的需要选择相应的型号。
图1:RL78/I1A系列微控制器的组成模块框图
图2;RL78/I1A具体选型信息
RL78/I1A系列微控制器的特点:
· 超低功耗
· 16bit RL78 CPU内核
· 32KB和64KB FLASH 内存可选
· 高速片上振荡器
· DMA外设
· 分辨率高达0.98ns的PWM波输出
· 多种通信接口
· 丰富的模拟外设
· SSOP 封装20,30,38三种引脚数目可选
· 工作温度:-40℃—+105℃(标准)
RL78/I1A系列微控制器的应用领域:
· 电机控制
· 照明
· 工业常用技术
· 家用电器
· 电源供电
· PC外设
技术顾问:winthony
世强元件电商版权所有,转载请注明来源和链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 5
本网站所有内容禁止转载,否则追究法律责任!
相关研发服务和供应服务
评论
全部评论(5)
-
大虫子 Lv7. 资深专家 2022-01-04了解了
-
小蝴蝶 Lv6. 高级专家 2022-01-04了解了
-
用户39706252 Lv4. 资深工程师 2019-12-23学习了
-
LouBing Lv7. 资深专家 2018-06-09好东西,收藏了
-
钱庐午 Lv9. 科学家 2018-05-23好
相关推荐
【产品】一款内置液晶面板驱动器和闪存的16位超低功耗RISC微控制器
爱普生(EPSON)推出的S1C17701,其休眠时为1μA,32.768kHz的工作频率、空闲时为2.5μA,工作时为13.5μA,适合遥控器、运动手表等典型应用。
新产品 发布时间 : 2018-02-26
【产品】配备Cortex®-A55 CPU、3D图形加速引擎以及视频编解码器的RZ/G2L微处理器,适合入门级工业HMI
瑞萨电子(Renesas)推出的RZ/G2L微处理器配备Cortex®-A55(1.2GHz)CPU、16位DDR3L/DDR4接口、带Arm Mali-G31的3D图形加速引擎以及视频编解码器(H.264)。 此外,这款微处理器还配备有大量接口。
新产品 发布时间 : 2021-01-26
瑞萨电子RZ/A2M微处理器获《Electronic Products》杂志2018年度最佳产品奖
2019年1月2日,瑞萨电子正在拓展自己的嵌入式人工智能(e-AI)解决方案的应用范围,通过实现端点智能化,将AI集成到嵌入式系统中。全球十多个国家的约150家公司已经在针对这一技术进行试验,实际e-AI使用案例超过30个。RZ/A2M MPU设计面向需要高速图像处理的智能家电、网络摄像头、服务机器人、扫描仪产品和工业机器设备的嵌入式AI辅助成像功能。
新产品 发布时间 : 2019-01-12
主控MCU通过C2接口对EFM8BB10F8G MCU的Flash存储器进行读写操作,存在概率性失败。从Flash存储器中读数据也是异常,请问这时什么原因导致的?
检查程序中的中断设置,发现是有一处读操作没有关闭中断导致的,将中断关闭后,对EFM8BB10F8G MCU的Flash进行读、写,存在概率性失败的情况得到解决。因为主控MCU用的是ARM芯片,运行的是linux操作系统,所以主控MCU通过C2接口对EFM8BB10F8G MCU的Flash存储器进行读写操作的函数也是以驱动程序的形式存在的,并且系统中各种软硬中断也比较频繁,因此相对时序控制上也需要更加严格,才能保证可靠的读写操作。
技术问答 发布时间 : 2016-10-25
【经验】如何进行IC FLASH程序存储器写入安全字节?
SILICON LABS推出C8051F系列单片机产品项目在开发时为了预防FLASH程序会被修改,通常软件工程师会对该IC FLASH程序存储空间进行加密。
设计经验 发布时间 : 2018-02-12
EFM32 MCU怎么保证Flash的加密性?
EFM32可实施的加密分为两种方式:硬件加密和软件加密。(1)硬件加密:可通过向Flash的加密lock bit写入使能芯片硬件加密,禁止MCU 的debug功能,以防止代码窃取者读取Flash中的代码。芯片硬件加密使能后,只能通过擦除掉芯片内部Flash的数据,以重新允许芯片的debug调试功能。(2)软件加密:此外,为保证程序代码的唯一性,防止代码窃取者暴力破解芯片后拷贝到其他MCU 中,可结合芯片的唯一ID与加密算法增加芯片的加密特性。实现思路举例:(1)使用编程器在芯片程序烧录时,读取芯片唯一ID,将其与密匙进行AES加密运;算,得到加密的密文①。然后将加密的密文烧录在Flash 的某一固定地址中;(2)在程序启动时,MCU 先读取芯片的唯一ID,通过硬件AES模块对ID与密匙进行加密,得到密文②。然后将得到的密文②与步骤(1)中烧录在Flash中的密文①进行比对,若一致则运行功能代码;若不一致则认为代码被暴力破解移植到其他芯片,跳入异常死循环中。提示:EFM32 具有硬件加密AES模块,仅仅需要数十个内核时钟即可完成计算,实现方便快捷。
技术问答 发布时间 : 2017-05-05
能否在片上Flash执行代码的同时,向片上Flash写入数据?
对于Giant Gecko系列MCU,其片上Flash为512KB或1MB,且被分为上下两个区,可对其中某个区进行读的同时对另一个区进行写操作;对于Zero Gecko、Tiny Gecko、Gecko、Leopard Gecko和Wonder Gecko系列MCU,其片上Flash小于512KB,仅一个区,因此不能进行这样操作,但可以在SRAM中执行代码的同时向Flash中写入数据。若MCU的Flash容量等于大于512KB,则可将Flash分成高低两个半区,可在低半区执行写入/擦除Flash操作的同时,在高半区执行读取Flash操作,反之亦然。但不允许同时对同一个半区进行读取和写入/擦除操作。
技术问答 发布时间 : 2017-05-05
能否在片上Flash执行代码的同时向片上Flash写入数据?
对于Giant Gecko系列MCU,其片上Flash为512KB或1MB,且被分为上下两个区,可对其中某个区进行读的同时对另一个区进行写操作;对于Zero Gecko、Tiny Gecko、Gecko、Leopard Gecko和Wonder Gecko系列MCU,其片上Flash小于512KB,仅一个区,因此不能进行这样操作, 但可以在SRAM中执行代码的同时向Flash中写入数据。若MCU的Flash容量等于大于512KB,则可将Flash分成高低两个半区, 可在低半区执行写入/擦除Flash操作的同时,在高半区执行读取Flash操作,反之亦然。但不允许同时对同一个半区进行读取和写入/擦除操作。
技术问答 发布时间 : 2017-05-05
8位单片机EFM8SB20F16G的Flash擦除次数典型值是30K次,在需要频繁擦写Flash的应用中,如何提高Flash使用寿命?
可以使用“空间换时间”的方法来延长Flash的使用时间。所谓“空间换时间”,是指利用相对多的代码空间来换取相对多的擦写时间(次数)。EFM8SB20F16G的Flash一页是1024Bytes,在一页内可以依次将数据写入Flash,当写满一页后,再全部擦除。比如存储32字节的数据块,一页就可以写32个数据块,写满后再全部擦除,这样该页的擦写次数就可以提高32倍,即96万次。
技术问答 发布时间 : 2016-10-24
8位MCU C8051F392,通过锁定字节对Flash进行加锁后,用C2调试接口能否读出Flash的内容?
不能,用锁定字节对Flash上锁后,只能使用C2接口擦除整个Flash,而不能读写Flash的数据。
技术问答 发布时间 : 2016-10-25
8位单片机EFM8UB10F8G的flash的块大小为多少?Flash的读写时间为多少?
EFM8UB1系列单片机flash大小有8KB和16KB,Flash块大小为64字节。在系统时钟24.5MHz的情况下,flash的块擦数时间为5.35ms,写字节时间为20us。
技术问答 发布时间 : 2017-05-05
操作芯片内部Flash,读出Flash中数据时使用语句:p=(unSigned char *)(0x3Bf1),直接读出0x3BF1地址数据,所读数据和Flash中实际数据不符合。这是为什么?
代码修改为:p=(unSigned char SEG_CODE*)(0x3Bf1);SEG_CODE在头文件compiler_defs.h中有定义:# define SEG_CODE_code,问题解决。
技术问答 发布时间 : 2017-05-05
EFM32TG842F32在小批量生产时候发现部分芯片FLASH部分程序空间被擦除,怎样解决?
1、增加对FLASH写程序之前进行保护判断,如果是非设定的FLASH空间擦除程序不予执行。2、加入保护判断后,未发现芯片被擦除的情况。
技术问答 发布时间 : 2017-05-05
8位MCU C8051F392出现flash page0意外被擦除可能是什么原因?
C8051F392内部有Flash Lock and Key Functions功能,需要往FLKEY寄存器先后写入0xA5, 0xF1后才能对flash进行操作,因此page0意外被擦很可能是复位时指针意外跑到了flash擦写功能的代码导致的,主要需要检查硬件的复位电路、内部电源监视复位寄存器的设置、是否有频繁上电掉电的操作。
技术问答 发布时间 : 2017-05-05
使用8位MCU C8051F392,程序中加入片内Flash读写操作后,频繁断电后再上电,用仿真器观察Flash数据会被修改,有何解决措施?
1.Flash操作函数尽量使用官方示例代码,保证操作过程中寄存器正确配置。2.程序中尽早开启VDD电源监测并将其作为复位源。3.在Flash读写时加入读写地址有效性检查。4.如果使用外部时钟,在读写Flash时切换至内部时钟,排除干扰。
技术问答 发布时间 : 2016-10-25
电子商城
现货市场
服务
可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压;数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O,温度补偿范围-20~85ºС;模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信,具备多种小型SIP和DIP封装可选择。
提交需求>
定制水冷板尺寸30*30mm~1000*1000 mm,厚度1mm~50mm,散热能力最高50KW,承压可达3MPA;液冷机箱散热能力达500W~100KW。项目单次采购额需满足1万元以上,或年需求5万元以上。
提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论