【产品】670V/16A/0.41Ω的N沟道功率MOSFET SLP16N65S/SLF16N65S
美浦森推出的SLP16N65S/SLF16N65S是漏源电压670V，连续漏极电流16A的N沟道功率MOSFET。产品使用Maplesemi先进的平面条纹DMOS技术，这项先进技术经过特别设计旨在最小化导通损耗，提供优越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。SLP16N65S/SLF16N65S适用于开关模式操作中的AC/DC电源转换。
图1 产品封装图
图2 内部电路图
最大额定值方面，工作温度和存储温度范围为-55℃~+150℃。脉冲漏极电流为64A，单脉冲雪崩能量为390mJ，雪崩电流为16A。耗散功率为38W，结壳热阻为3.7℃/W。当VGS = 10 V, ID = 8A时漏源导通电阻的典型值为0.41Ω，导通损耗较低。漏源体二极管的反向恢复时间的典型值为450ns。
特点
低栅极电荷：35nC typ.
低Crss：5.5pF typ.
快速开关
100%雪崩测试
增强的dV/dt能力
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美浦森VDMOS选型表
提供美浦森VDMOS选型，击穿电压200V-800V,正向电流 2A-40A,导通电阻低至0.1。
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产品型号
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品类
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封装
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击穿电压
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正向电流
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导通电阻
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SLD2N65UZ
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N-Channel MOSFET
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TO-252
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BVDSS:650V
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ID:2A
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RDS(ON)TYP：4.3Ω
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选型表 - 美浦森 立即选型
NCE70T260D,NCE70T260,NCE70T260F N-Channel Super Junction Power MOSFET III
型号- NCE70T260D,NCE70T260F,NCE70T260
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