长晶科技Trench肖特基二极管系列，VF比同规格的普通平面肖特基产品降低 25% 左右

时间： 2020-11-21 来源：长晶科技

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理想的整流器应具有低正向压降、高反向阻断电压、零漏电流和低寄生电容。但在实际应用中要实现这一点，就必须在这些参数间做出取舍。
采用某些金属可以使金属-半导体界面上的正向压降做到最小化，但必须以较高的反向泄漏电流为代价。或者，如果使漂移区变宽以获得更高的反向阻断电压，那么跨在肖特基结的低正向压降的优势可能会减弱、甚至消失，这也是为什么肖特基整流器的反向阻断电压通常限制在200V以下。
因此，在不增加反向泄漏电流的情况下提升反向阻断电压是平面肖特基整流器设计所面临的一个挑战。平面肖特基的局限性在于等电位的势垒线倾向于聚集在金属电极附近而不是衬底，当在表面附近超过临界电场时，会导致较早地击穿。而通过将trench沟槽蚀刻到硅中并填充导电的多晶硅，可有效地耗尽反向漂移区内的漂移电子，并使漂移区电场均匀分布。

长晶科技基于TRENCH原理，也大力开发了多种规格的Trench肖特基产品，主推型号如下：

经过实测，我们发现Trench肖特基产品同规格情况下，对比普通平面肖特基产品，VF可降低 25% 左右，如下图：

另外，我们与各厂家的产品进行了对比，发现在完全裸管和常温、高温条件下，VF各厂家基本持平，长晶科技的TRENCH肖特基产品的反向漏电流IR更小（NA表示大于10000uA），因此产品可靠性和效率更高。

在40W/12V适配器中进行实测，原边供电为230v/50Hz，此时将肖特基二极管用于次级整流，Vout=12V/3.33A，长晶科技产品效率更优，温升更低：

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产品型号	品类	Status	PD(mW/W)	IF(mA)	VR(V)	VF(V)	IR(uA)	Package
2CZ4007_SOD-123	普通整流二极管	Active	350mW	1000	1000	1.1	5	SOD-123

选型表 - 长晶科技立即选型

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