【产品】-30V/-30A的P沟道增强型功率MOSFET，适合用作负载开关、PWM或电源管理
丽正国际推出的RM30P30D3是一款P沟道增强型功率MOSFET，使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适合用作负载开关、PWM应用或电源管理。漏源电压-30V，漏极持续电流为-30A，最大耗散功率为40W，采用DFN3X3封装，无卤素。
图1 RM30P30D3的实物图、封装形式和内部电路
产品特性：
● VDS = -30V,ID = -30A
RDS(ON) < 13mΩ @ VGS=-4.5V
RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=-10V
● 高功率和电流处理能力
● 无铅产品
● 表贴封装
RM30P30D3的最大额定值参数(TA=25℃,除非特殊说明)
RM30P30D3电气特性(TA=25℃,除非特殊说明)
Note：
1 重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制
2 表贴在FR4板子上，t≤10sec
3 脉冲测试: 脉冲宽度 ≤ 300μs, 占空比 ≤ 2%
4 通过设计保证，不受生产限制
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