【经验】 IGBT驱动光耦共模抑制比（CMR）测试原理及方式
驱动光耦共模抑制比通常用CMR（Common Mode Rejection）、CMTI（common mode transient immunity）表示，其含义是指在每微秒光耦能容许的最大共模电压上升或下降率，以RENESAS的驱动光耦PS9531为例，该光耦的共模抑制比CMR（CMH、CML）高达±50KV/μs，参考如下图1所示。
图1：驱动光耦PS9531 CMR电性参数表
那么，驱动光耦PS9031的共模抑制比|CMR| 50KV/μs是如何测量的呢？请参考如下说明：
1、利用高压波形发生器，给驱动光耦原边和副边地间加Vcm=1.5KV脉冲干扰电压， 然后不断去减小tr，tf，看最终什么时候VOH和VOL的脉冲峰值会超标。其中电压瞬变=|Vcm|/（tr或tf），请参考如下图2所示，VOH下限峰值为26V，VOL上限峰值为1V。
图2：驱动光耦PS9531 CMR典型测试电路和波形图
Ps：因为驱动光耦PS9531本身的隔离电压已达5KV，故1.5 KV脉冲干扰电压加多长时间都没什么问题，调整tf和tr才是测试关键。
2、实际计算CMR
Vcm x 90%=1350V；Vcm x 10%=150V，所以△VCM=1350V-150V=1200V
当tr，tf=0.024μs时，VOH，VOL的脉冲无法满足SPEC
所以，CMR=1200V/0.024μs=50KV/μs
当然这个是指的最差的情况下，实际肯定比这个50KV/μs还要高。
总结：
驱动光耦的CMR测试方式各个厂家均是一样的，该参数表示驱动光耦的抗干扰能力大小，尤其在工业应用领域至关重要，比如电机启动和制动过程中都会带来极大的共模噪声，故选择一款高CMR驱动光耦是必须的！而Renesas的主推三款驱动光耦PS9031、PS9531、PS9402均具备50KV/μs高共模抑制能力，是低成本高性能的首选。
通过上面的介绍，相信大家对驱动光耦的CMR测试方法已经学会了，如果您感兴趣记得收藏和点赞哦，感谢！有问题请留言或电话联系世强400-887-3266。
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CIS0211 Lv7. 资深专家 2018-02-11不错，学习学习！ -
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