【产品】漏源电压为-20V的P通道MOS管KI2305DS，在栅-源电压为-4.5V时导通电阻可小于0.052Ω

时间： 2022-08-05 来源：科信

技术问答

本文科信为大家介绍P通道MOS管 KI2305DS，其漏源电压为-20V，当栅-源电压越小，导通电阻越小。当栅-源电压为-1.8V时，导通电阻可小于0.108Ω，当栅-源电压为-2.5V时，导通电阻可小于0.071Ω，当栅-源电压为-4.5V时，导通电阻可小于0.052Ω。

P通道MOS管KI2305DS

特性：

极限参数（Ta=25℃）

电性能参数（Ta=25℃）

丝印

SI2305DS（KI2305DS）

典型特征

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