碳化硅具有输出电容、相关损耗与开关频率无关的特性，速度也可以非常快

时间： 2021-06-11 来源：即思创意

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当提及高频或超高频开关时，人们首先会想到GaN（氮化镓）。然而，斯坦福大学科学家发表的一项研究表明，碳化硅的速度也非常快。

研究表明，采用SiC MOSFET设计的17MHz E类逆变器，直流到射频的效率高达86%。商用碳化硅MOSFET优于GaN HEMT的特征在于：与碳化硅MOSFET的输出电容(Coss)、相关损耗(Ediss)与开关频率无关。对比发现，氮化镓HEMT的Ediss随频率的增加而增加（因为dV/dt增加），造成氮化镓在高频时性能下降。

当然碳化硅MOSFET在高频或超高频开关动作中也并非没有缺点。碳化硅 MOSFET是纵向器件，氮化镓HEMT是横向器件，因此碳化硅MOSFET的输入电容(Ciss)高于氮化镓HEMT。此外商用碳化硅MOSFET的品质因数Rds(on)*Co(eq.)大于氮化镓HEMT。然而，如果碳化硅MOSFET的性能不断提高，那么使用碳化硅MOSFET实现更多的高MHz变换器将会不足为奇了。

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全部评论（3）

用户56731903 Lv9. 科学家 2021-06-15

了解一下！！！
WilberTse Lv6. 高级专家 2021-06-12

很好！
jishizhong Lv9 2021-06-12

学习了

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