【产品】60V/34A功率 MOSFET,4.5V栅极驱动

2018-02-09 SHINDENGEN(世强编辑整理) 夜里也要看太阳
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P34F6ELSHINDENGEN(新电元)公司推出的一款采用绝缘封装的功率MOSFET。该功率MOSFET的电容较低,可实现高速开关功能,其输入电容典型值为1960pF,反向传输电容典型值为130pF,输出电容典型值为240pF。此外,P34F6EL还具有较低的静态导通电阻,在直流连续漏极电流为17A,栅源电压为10V的测试条件下,其静态导通电阻典型值为9.0mΩ,较低的静态导通电阻使其功率损耗降低,有效的提升了系统效率。

 

P34F6EL采用4.5V栅极驱动,储存温度为-55~150℃,沟道温度最大值为150℃,漏源电压为60V,栅源电压为±20V,连续漏极电流为34A,连续漏极电流峰值为136A,可满足大功率驱动应用需求。P34F6EL的全功率损耗为35W,在温度为Tch=25℃的测试条件下,单脉冲雪崩电流为27A,单脉冲雪崩能量为36mJ。

 

P34F6EL的绝缘耐压值为2kV,在漏源电压为48V,栅源电压为10V,直流连续漏极电流为34A的测试条件下,其总栅极电荷典型值为41nC,栅源电荷典型值为7nC,栅漏电荷典型值为12nC。P34F6EL采用FTO-220AG(SC-91)封装, 尺寸大小为28.5mm×10.0mm×4.5mm。


                                                                 

图1 功率MOSFET P34F6EL实物图

 

功率MOSFET P34F6EL特点:

·漏源电压为60V,栅源电压为±20V;

·连续漏极电流为34A,连续漏极电流峰值为136A;

·全功率损耗为35W;

·栅极电荷典型值为41nC;

·单脉冲雪崩电流为27A,单脉冲雪崩能量高达36mJ(Tch=25℃);

·静态导通电阻典型值为9mΩ(ID=17A,VDS=10V);

·采用FTO-220AG(SC-91)封装, 尺寸大小为28.5mm×10.0mm×4.5mm;

·存储温度范围:-55~150℃,沟道温度最大值为150℃

 

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  • 拾一 Lv7. 资深专家 2022-04-12
    学习
  • 康波周期 Lv7. 资深专家 2019-05-15
    我们沿用一款电源芯片很久,一直都在寻找性价比高的带LIN通讯端口的5V稳压电源块
  • 用户56731903 Lv9. 科学家 2018-07-30
    不错
  • yingqiming Lv7. 资深专家 2018-05-27
    不错
  • 小小哥布林 Lv7. 资深专家 2018-04-01
    不错
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描述- 萨瑞微电子是一家专业从事半导体分立器件芯片设计、晶圆制造、封装测试与应用服务于一体的IDM模式的国家级高新技术企业。公司的产品广泛虚用于通讯、安防、消费类电子、汽车电子、工业电子、医疗、仪器仪表等领域,是国内外一线品牌客户首选供应商。

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选型指南  -  萨瑞微电子  - 2024/6/27 PDF 中文 下载

瑶芯微AK2G4N012TAM-A N-channel SGT MOSFET,满足汽车电子小封装大电流需求

以瑶芯微N-channel SGT MOSFET AK2G4N012TAM-A为例,这款基于SGT技术的MOSFET产品严格按照汽车工业的PPAP(生产部件批准过程)流程开发,极低的导通电阻使其在12V的低电压大功率负载驱动应用中表现卓越。此外,该产品符合RoHS标准,采用无卤环保材料,进一步确保了其在环保和安全性方面的实践和承诺。

应用方案    发布时间 : 2024-07-31

圣邦微电子展出信号链和电源管理领域领先产品及汽车电子和工业领域解决方案亮相2023慕尼黑上海电子展

7月13日,2023慕尼黑上海电子展在国家会展中心圆满落幕。此次圣邦微电子展出了信号链和电源管理领域领先产品,并提供了汽车电子和工业领域解决方案。

原厂动态    发布时间 : 2023-07-18

苏州固锝2024慕尼黑上海电子展圆满落幕!展示汽车电子、工业控制以及家电行业等领域功率半导体器件

2024年07月08日-07月10日,为期三天的2024年慕尼黑电子展在上海新国际博览中心圆满落幕!在本次展会上,苏州固锝不仅仅展示了功率二极管(快恢复FRD、肖特基、整流管/桥、等)、保护器件(TVS、ESD、Zener稳压管)、小信号器件、MOSFET、SiC功率器件、IGBT等功率半导体器件,在汽车电子、工业控制以及家电行业等领域的应用。

原厂动态    发布时间 : 2024-07-12

全面解析MOSFET产业链

MOSFET是一种广泛应用于模拟电路与数字电路的场效晶体管,用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化,可实现开关和信号放大等功能,具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等特性,应用于包括通信、消费电子、汽车电子、工业控制在内的众多领域,本文将解析MOSFET产业链。

设计经验    发布时间 : 2024-07-05

【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计

恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。

新应用    发布时间 : 2019-07-27

MDD辰达半导体携带最新系列产品,围绕汽车电子、工业控制等应用解决方案亮相2024年慕尼黑上海电子展

7月8日,为期3天的2024年慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心盛大开幕。作为全球电子行业盛会,本次展会汇聚国内外众多领军企业,MDD辰达半导体携带最新系列产品,围绕汽车电子、工业控制、可再生能源与电源等应用领域的应用解决方案亮相,为观众呈现了一场精彩纷呈的科技盛宴。

原厂动态    发布时间 : 2024-07-12

维安亮相PCIM Europe 2024,全方位展示汽车电子、电源及领先的产品技术创新解决方案

2024年6月11日,PCIM Europe 2024在德国纽伦堡会展中心盛大开幕。作为专注于电路保护与功率控制解决方案的领先企业,维安(WAYON)在本次盛会上全方位展示了汽车电子综合解决方案、电源解决方案及领先的产品技术创新,期待未来能将整体解决方案,甚至整机方案一体化的服务,融入到同终端客户的大循环里面。

原厂动态    发布时间 : 2024-07-10

SiC MOSFET应用于汽车电子领域的优势及设计注意事项

SiC MOS是未来趋势,在要求较高的汽车电子中应用会越来越多。森国科的产品包括SJ-MOS、SiC MOS,都可广泛应用于逆变器、镇流器、适配器、充电器、PC电源、电视机电源、电焊机电源等各领域。

技术探讨    发布时间 : 2024-03-01

纳芯微携传感器、信号链、电源管理产品和解决方案亮相慕尼黑上海电子展,助力汽车电子、光储充、工业控制、消费电子等领域发展

慕尼黑上海电子展于今日在上海隆重开幕,纳芯微电子围绕汽车电子、光储充、工业控制、消费电子等应用领域,全面展示了其传感器、信号链、电源管理三大方向的创新产品和解决方案。

原厂动态    发布时间 : 2023-07-13

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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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