【产品】EPC新推氮化镓场效应晶体管EPC2306，为高功率密度应用提供超小型化解决方案

时间： 2022-09-15 来源：EPC官网

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宜普电源转换公司（EPC）新推100V、3.8mΩ的氮化镓场效应晶体管 EPC2306，为高功率密度应用提供性能更高和更小的解决方案，包括DC/DC转换、AC/DC充电器、太阳能优化器和微型逆变器、电机驱动器和D类音频放大器等应用。

宜普电源转换公司是增强型氮化镓（eGaN®）功率FET和IC领域的全球领导者，新推100V、采用耐热增强型QFN封装的EPC2306，用于高密度计算应用的48V DC/DC转换、电动汽车和机器人的48V BLDC电机驱动器、太阳能优化器和微型逆变器，以及D类音频放大器。

EPC2306 GaN FET具有超小的导通电阻（仅为3.8mOhm）以及非常小的Q_G、Q_GD和Q_OSS参数，可实现低导通和开关损耗。它采用耐热增强型QFN封装，从顶部散热，占板面积仅为3mmx5mm，为最高功率密度应用提供超小型化的解决方案。

EPC2306与之前推出的100V、1.8mOhm EPC2302都是封装兼容，从而允许设计工程师在导通电阻与价格之间权衡，在相同PCB布局兼容两种器件的封装尺寸，从而可实现效率或成本优化的解决方案。

宜普电源转换公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说：“EPC2306结合了100V氮化镓场效应晶体管的优势和易于组装的QFN封装而没有降低性能。设计人员可以利用我们的封装GaN FET系列，实现用于电动汽车和无人机的更轻且以电池供电的BLDC电机驱动器；用于数据中心、数据通信、人工智能的更高效48V输入DC/DC转换器，以及用于其他工业及消费应用。”

EPC90145开发板采用最大器件电压为100V、最大输出电流为45A的半桥器件EPC2306 GaN FET，旨在简化评估过程以加快产品推出市场时间。这款2x2（50.8mmx50.8mm）开发板专为实现最佳开关性能而设计和包含了所有关键组件，便于评估。

有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具，根据您所需的特定工作条件，EPC会推荐合适的替代方案。

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司（EPC）是基于增强型氮化镓（eGaN^®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。

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冒个泡儿 Lv7. 资深专家 2022-12-09

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Steel Lv6. 高级专家 2022-09-21

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WilberTse Lv6. 高级专家 2022-09-20

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型号- EPC2212,EPC2057,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC90155,EPC2029,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC9098,EPC9099,ЕPC2218,EPC9092,EPC9093,EPC9050,ЕPC2215,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9061,ΕPC2059,EPC9062,EPC2203,EPC9048C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124

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