【产品】EPC新推氮化镓场效应晶体管EPC2306，为高功率密度应用提供超小型化解决方案
宜普电源转换公司（EPC）新推100V、3.8mΩ的氮化镓场效应晶体管EPC2306，为高功率密度应用提供性能更高和更小的解决方案，包括DC/DC转换、AC/DC充电器、太阳能优化器和微型逆变器、电机驱动器和D类音频放大器等应用。
宜普电源转换公司是增强型氮化镓（eGaN®）功率FET和IC领域的全球领导者，新推100V、采用耐热增强型QFN封装的EPC2306，用于高密度计算应用的48V DC/DC转换、电动汽车和机器人的48V BLDC电机驱动器、太阳能优化器和微型逆变器，以及D类音频放大器。
EPC2306 GaN FET具有超小的导通电阻（仅为3.8mOhm）以及非常小的QG、QGD和QOSS参数，可实现低导通和开关损耗。它采用耐热增强型QFN封装，从顶部散热，占板面积仅为3mmx5mm，为最高功率密度应用提供超小型化的解决方案。
EPC2306与之前推出的100V、1.8mOhm EPC2302都是封装兼容，从而允许设计工程师在导通电阻与价格之间权衡，在相同PCB布局兼容两种器件的封装尺寸，从而可实现效率或成本优化的解决方案。
宜普电源转换公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说：“EPC2306结合了100V氮化镓场效应晶体管的优势和易于组装的QFN封装而没有降低性能。设计人员可以利用我们的封装GaN FET系列，实现用于电动汽车和无人机的更轻且以电池供电的BLDC电机驱动器；用于数据中心、数据通信、人工智能的更高效48V输入DC/DC转换器，以及用于其他工业及消费应用。”
EPC90145开发板采用最大器件电压为100V、最大输出电流为45A的半桥器件EPC2306 GaN FET，旨在简化评估过程以加快产品推出市场时间。这款2x2（50.8mmx50.8mm）开发板专为实现最佳开关性能而设计和包含了所有关键组件，便于评估。
有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具，根据您所需的特定工作条件，EPC会推荐合适的替代方案。
宜普电源转换公司简介
宜普电源转换公司（EPC）是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。
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实验室地址： 深圳 提交需求>
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实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
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