【经验】UltraEM®的片上电感的电磁隔离分析仿真算例
通过UltraEM®对不同的片上电感进行电磁仿真分析,将两个同种电感靠近,然后仿真分析其端口的传输系数S。利用UltraEM®绘制两种片上电感的S(1,3)和S(2,4)参数曲线,再对仿真结果及其电磁隔离分析总结得出结论。
8形片上电感仿真
2.1建立仿真算例
2.1.1新建工程
依次点击File>New>Project新建工程,如下图2-1。
2.1.2导入设计文件
依次点击File> Import > FDL 导入设计文件,如图2-2、图2-3所示。
2.1.3查看工艺信息
点击Layer > Set Layer Data可打开层信息窗口查看工艺信息,如下图2-4。并且可点击View查看工艺信息的侧视图,如图2-5。
2.1.4开始仿真
点击Solve > Settings进行仿真设置,设置仿真频率范围为10–60GHz,步长为5GHz。该窗口中每项仿真设置具体参数如下:设置频率扫描(Frequency)方式: "Model: Linear, Start: 10 GHz, Step: 5 GHz, End: 60 GHz",如图 2-6。
设置网络剖分(Mesh)方式: “Mesh Type: Triangle, Mesh segment: Customs”。
设置仿真精度(Accuracy): “Accuracy: IC-Standard, Metal Mode:3D,Via Mode: 3D ”。
设置求解方式(Solver): “Solver: MoM ”。
设置激励(Excitation): “Excitation: Voltage”。
设置机器线程(Thread Setting):设置线程数为12(需计算机可以提供12个以上CPU核)。
结果输出(Output): “Characteristic: 50 + 0 j(Ohms), Output File Name: 8Shaped_Ind_Out ”。
运行仿真。点击Solve > Run,运行仿真。
2.1.5查看结果
仿真完成后,单击Result > Model Data,查看仿真结果。
图2-8中,8 Shaped Ind Out在10GHz-60GHz内,S(1,3)和S(2,4)曲线高度重合,表示P1和P3电磁隔离度和P2和P4电磁隔离度大致相同;在10GHz-45GHz内,S(1,4)曲线高于S(2,3)曲线,表明P2和P3电磁隔离度高于P1和P4电磁隔离度;在15GHz-45GHz内,S(1,4) > S(1,3) = S(2,4) > S(2,3),则是由于在这段频域内,d(P1,P4)< d(P1,P3) = d(P2,P4) < d(P2,P3)。
矩形片上电感仿真
可增加其他类型的片上电感验证隔离度和距离的关系,本章以矩形电感为例。设计步骤和仿真设置同第2章,版图如图3-1所示。
仿真完成后,单击Result > Model Data,查看仿真结果。
图3-2中,Conventional Ind Out在20GHz-60GHz内,S(1,3)、S(1,4)曲线低于S(2,3)、S(2,4)曲线,表明P1和P3、P4电磁隔离度高于P2和P3,P4电磁隔离度;在20GHz-60GHz内,S(2,3)、S(2,4)值较大,则是由于d(P2,P3) < d(P1,P3),d(P2,P4) < d(P1,P4)。
综合结果比较
图4-1为8 Shaped Ind Out和 Conventional Ind Out结果。从中可以看出,8形片上电感的S参数较矩形片上电感的S参数更趋于一致,而且S参数曲线高度相比更低,表明了8形片上电感的电磁隔离度比矩形片上电感的电磁隔离度更高。
从图4-2中看出,两种电感的L值均符合特性。
法动科技:
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同时,我们可以为包括移动通信、物联网、5G、雷达、卫星通信系统和高速数字设计在内的产品提供高水平设计开发服务。
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