【产品】光MOS输出型光耦合器HSSR-S1A01-2,耐压400V
华联电子旗下产品光MOS输出型光耦合器HSSR-S1A01-2由砷化铝镓红外发光二极管作为输入级耦合到高电压输出光探测电路。光探测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路构成,用以开启/关断两个独立的高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。一个最小5mA的电流流经输入级红外发光二级管可确保继电器动作。当加在输入级红外发光二级管的正向压降为 0.8V 或更小值时,继电器可确保复位。
图1 HSSR-S1A01-2封装示意图
HSSR-S1A01-2光MOS输出型光耦合器的产品特性:
● 微型光MOS固态继电器
● 单通道常开型单刀单掷继电器
● 400V输出耐压产品
● 100mA额定电流产品
● 低输入电流,CMOS兼容
● 非常快的开关速度:典型值 0.5ms (Ton), 0.2ms (Toff )
● 高输入输出绝缘耐压:3750 Vrms for 1 min
HSSR-S1A01-2光MOS输出型光耦合器的应用领域:
● 电信切换
● 数据通讯
● 电池管理
● 工业控制
● 医疗设备
● EMR/机械继电器替代
该产品电原理图如下图所示:
图2 HSSR-S1A01-2电原理图
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产品型号
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品类
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封装形式
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负载电压(V)
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连续通态电流(A)
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导通电阻(Ω)
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通道数
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工作温度(℃)
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介质耐压(VRMS)
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安规认证
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HSSR-DA01
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MOS继电器
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DIP8/SMD8(9.6x6.4x3.6)
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400V
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0.1A
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25Ω
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2NO*
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﹣40~85℃
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5000Vrms
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VDE、UL、CQC
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