【产品】100V/30A功率 MOSFET,全功率损耗为44W

2018-02-18 Shindengen(世强编辑整理) 夜里也要看太阳
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P30B10EL是新电元公司推出的一款表面贴装功率MOSFET器件,其储存温度为-55~150℃,沟道温度为150℃,漏源电压为100V,栅源电压为±20V,直流连续漏极电流为30A,峰值连续漏极电流为90A,能够满足一般大功率驱动应用需求。

 

P30B10EL的全功率损耗为44W,单脉冲雪崩电流为27A,单脉冲雪崩能量为73mJ。在直流连续漏极电流为1mA,栅源电压为0V的测试条件下,其漏源击穿电压最小值为100V。P30B10EL的静态导通电阻较低,在直流连续漏极电流为15A,栅源电压为10V的测试条件下,其静态导通电阻典型值为24mΩ。

 

P30B10EL在漏源电压为80V,栅源电压为10V,直流连续漏极电流为30A的测试条件下,其总闸极电荷典型值为37nC,栅源电荷典型值为7nC,栅漏电荷典型值为12nC。此外,其电容较低,输入电容、反向传输电容和输出电容典型值分别为2000pF、85pF、175pF。P30B10EL采用FB (TO-252AA)封装, 尺寸大小为10.0mm×6.6mm×2.3mm。

 

                                                               

图1 功率MOSFET P30B10EL实物图

 

功率MOSFET P30B10EL特点:

·漏源电压为100V,栅源电压为±20V;

·直流连续漏极电流为30A,峰值连续漏极电流为90A;

·全功率损耗为44W;

·总闸极电荷典型值为37nC;

·采用FB (TO-252AA)封装, 尺寸大小为10.0mm×6.6mm×2.3mm;

·存储温度范围:-55~150℃。


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  • 冷锋 Lv7. 资深专家 2018-08-05
    学习
  • 用户18396822 Lv8 2018-07-28
    不错
  • 辛巴 Lv8. 研究员 2018-05-03
    学习
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