【产品】100V/30A功率 MOSFET，全功率损耗为44W
P30B10EL是新电元公司推出的一款表面贴装功率MOSFET器件，其储存温度为-55~150℃，沟道温度为150℃，漏源电压为100V，栅源电压为±20V，直流连续漏极电流为30A，峰值连续漏极电流为90A，能够满足一般大功率驱动应用需求。
P30B10EL的全功率损耗为44W，单脉冲雪崩电流为27A，单脉冲雪崩能量为73mJ。在直流连续漏极电流为1mA，栅源电压为0V的测试条件下，其漏源击穿电压最小值为100V。P30B10EL的静态导通电阻较低，在直流连续漏极电流为15A，栅源电压为10V的测试条件下，其静态导通电阻典型值为24mΩ。
P30B10EL在漏源电压为80V，栅源电压为10V，直流连续漏极电流为30A的测试条件下，其总闸极电荷典型值为37nC，栅源电荷典型值为7nC，栅漏电荷典型值为12nC。此外，其电容较低，输入电容、反向传输电容和输出电容典型值分别为2000pF、85pF、175pF。P30B10EL采用FB (TO-252AA）封装, 尺寸大小为10.0mm×6.6mm×2.3mm。
图1 功率MOSFET P30B10EL实物图
功率MOSFET P30B10EL特点：
·漏源电压为100V，栅源电压为±20V；
·直流连续漏极电流为30A，峰值连续漏极电流为90A；
·全功率损耗为44W；
·总闸极电荷典型值为37nC；
·采用FB (TO-252AA）封装, 尺寸大小为10.0mm×6.6mm×2.3mm;
·存储温度范围：-55~150℃。
技术顾问：搬砖的奶爸
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辛巴 Lv8. 研究员 2018-05-03学习
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