功率半导体IDM供应商萨瑞微电子,提供电源管理IC、MOSFET、LDO、电路保护器等产品
2022年4月20日,功率半导体IDM供应商萨瑞微电子(SALLTECH)签约世强,授权世强代理旗下全线产品。萨瑞微电子现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理I、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器等产品。
萨瑞微电子的N沟道增强型MOSFET SRN0110DM7,漏源电压最小值为100V,耗散功率最大值为227W,适用于大功率逆变系统与液晶显示模块电器;低电容、大功率TVS SEL3314P9采用了领先的单片硅技术,并可以提供快速的响应时间和超低的ESD钳位电压,使该器件成为敏感数据的电压保护和高速数据线的理想解决方案,电容典型值1.7pF,支持±30kV的空气放电和接触放电。
萨瑞微电子的小信号MOS、中低压MOS、高压MOS、超高压MOS、ESD、PTSS、PTVS、MOSFET、电源管理IC、锂电保护IC、OVP、OCP、LDO、二极管、三极管、GDT、TSS、TVS等产品已上线平台,用户可在线查看产品信息,申请免费样品。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由周云清提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
AP100N06D N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了AP100N06D型号的N沟道增强型MOSFET的特性。内容包括其电气特性、静态和动态参数、开关特性、源极漏极二极管特性、典型工作曲线以及封装尺寸等。
型号- AP100N06D
APG014N10T N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了APG014N10T型号的N沟道增强型MOSFET的特性、参数和应用。资料涵盖了产品的电气特性、静态和动态特性、开关特性、二极管特性、封装尺寸以及测试电路图等内容。
型号- APG014N10T
APG030N08G N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料介绍了APG030N08G型号的N沟道增强型MOSFET的特性、电气参数和应用领域。主要包括其电压、电流规格,开关特性,热阻,封装尺寸等信息。
型号- APG030N08G
SG45NE8T5 N沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了SG45NE8T5型号的N-Channel增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽式设计,具有低热阻特性。适用于电机驱动、电动工具、电池管理系统(BMS)和直流-直流转换器等领域。
型号- SG45NE8T5
APG013N10D7 N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了APG013N10D7型号的N沟道增强型MOSFET的特性、电气参数和应用领域。资料涵盖了最大额定值、静态和动态特性、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。
型号- APG013N10D7
APG010N04D7H N沟道增强型MOSFET数据手册
描述- 该资料详细介绍了APG010N04D7H型号的N沟道增强型MOSFET的特性、电气参数和应用领域。资料涵盖了产品的最大额定值、静态和动态特性、开关特性、源极漏极二极管特性,以及典型工作曲线和封装尺寸。
型号- APG010N04D7H
AP10N15S N沟道增强型MOSFET数据手册
描述- 本资料介绍了AP10N15S型号的N沟道增强型MOSFET。该器件具有150V电压额定值和10A连续漏极电流能力,适用于LCD电视、高功率逆变器系统等多种电子设备。
型号- AP10N15S
APG009N10T N沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了APG009N10T型N沟道增强型MOSFET的特性。该器件具有高电压(100V)、大电流(450A)和高导通电阻(RDS(on) < 1.25mΩ @ VGS = 10V),适用于功率工具、电池管理系统和BMS设备等。
型号- APG009N10T
AP500N06D7 N沟道增强型MOSFET数据手册
描述- 本资料介绍了AP500N06D7型号的N沟道增强型MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件具有高电流承载能力,适用于高压大功率应用。
型号- AP500N06D7
SR34K N沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了SR34K型号的N通道增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺技术,具有低阈值电压、快速开关速度等特点,适用于便携式设备的负载开关和小信号开关。
型号- SR34K
APG012N10T N沟道增强型MOSFET数据手册
描述- 该资料详细介绍了APG012N10T型号的N沟道增强型MOSFET的特性、电气参数、应用领域和封装尺寸。资料涵盖了产品的最大额定值、静态特性、动态特性、开关特性、源漏二极管特性以及典型特性曲线,同时提供了封装尺寸和修订历史。
型号- APG012N10T
APG030N08 N沟道增强型MOSFET数据手册
描述- 本资料介绍了APG030N08型N沟道增强型MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有高电压(80V)、大电流(150A)和高导通电阻(RDS(on) < 3.0mΩ @ VGS = 10V),适用于电源设备、BMS设备和高压逆变器系统。
型号- APG030N08
UN1012N3R4-PD56 N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料介绍了UN1012N3R4-PD56型号的N-Channel Enhancement Mode MOSFET,包括其产品概述、特性、应用领域、电气特性曲线、封装尺寸等信息。
型号- UN1012N3R4-PD56
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论