功率半导体IDM供应商萨瑞微电子,提供电源管理IC、MOSFET、LDO、电路保护器等产品
2022年4月20日,功率半导体IDM供应商萨瑞微电子(SALLTECH)签约世强,授权世强代理旗下全线产品。萨瑞微电子现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理I、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器等产品。
萨瑞微电子的N沟道增强型MOSFET SRN0110DM7,漏源电压最小值为100V,耗散功率最大值为227W,适用于大功率逆变系统与液晶显示模块电器;低电容、大功率TVS SEL3314P9采用了领先的单片硅技术,并可以提供快速的响应时间和超低的ESD钳位电压,使该器件成为敏感数据的电压保护和高速数据线的理想解决方案,电容典型值1.7pF,支持±30kV的空气放电和接触放电。
萨瑞微电子的小信号MOS、中低压MOS、高压MOS、超高压MOS、ESD、PTSS、PTVS、MOSFET、电源管理IC、锂电保护IC、OVP、OCP、LDO、二极管、三极管、GDT、TSS、TVS等产品已上线平台,用户可在线查看产品信息,申请免费样品。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由周云清提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【产品】采用TOLL-8L封装的N沟道增强型MOSFET SRN01N10T,漏极耗散功率最大为500W
萨瑞微电子推出一款采用TOLL-8L封装的N沟道增强型MOSFET SRN01N10T,采用先进的沟槽单元设计,适用于电动工具设备、BMS设备和大功率逆变系统等。该器件的漏源电压最小值为100V,直流漏极电流最大值为300A,漏极耗散功率最大值为500W。
产品 发布时间 : 2022-06-25
【产品】铨力半导体推出的N沟道增强型MOSFET AP01N10T,采用先进沟槽技术,用于大功率逆变系统等设备
铨力半导体推出采用先进的沟槽技术的N沟道增强型MOSFET AP01N10T,采用TOLL-8L封装。特性:100V,300A;适用于大功率逆变系统、BMS设备、电动工具设备。
产品 发布时间 : 2023-01-11
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论