【选型】如何为1500V光伏逆变器选择合适的IGBT功率模块?
随着国内光伏系统装机量的不断增加,其发展模式逐渐由高补贴、高依赖国家政策转变为低补贴、高竞争力的模式,力争在"十三五"末实现用电侧光伏电价的平价上网。这给光伏系统,尤其是光伏逆变器带来很大的成本压力和设计难度。
发展趋势:
光伏逆变器作为光伏系统的桥梁,串联在整个发电系统中,虽然成本占比低,但至关重要。为了适应光伏系统发展模式的变化,光伏逆变器亟待进行一次深入的变革,来降低系统成本,提高光伏的利用效率,增加发电量。
众所周知,光伏系统从600V进化到1000V的时候,带来成本大幅度下降,发电量的有效提升。同样当1000V进化到1500V的时候,也会有类似的效益发生,逆变器功率的提升,降低安装和运维成本。因此,1500V系统必将成为未来光伏系统发展的趋势。
存在问题:
目前,主流的电站设计以及光伏组件、逆变器、线缆等所有相关产品均基于直流端1000V的电压要求设计和制造。作为光伏逆变器的核心器件,IGBT功率模块都采用了1200V耐压的BOOST模块和MNPC模块,如图1所示:
图1:1000V系统光伏逆变器拓扑图
1200V耐压的功率器件无法满足1500V系统的耐压要求。因此,如何选择合适的拓扑结构和IGBT功率模块成为1500V光伏逆变器的设计难点和重点。
解决方案:
为了满足1500V系统耐压需求,在IGBT功率器件的选型上通常有两种选择:
1、继续采用如图1所示的拓扑结构,在BOOST模块和MNPC模块中均使用1700V耐压的IGBT晶圆。这种方式虽然满足了1500V系统的耐压要求,但由于1700V 耐压的IGBT只能运行在较低的开关频率,这会导致无源器件(电感、电容)的体积增加、效率降低、整机的成本也不能得到有效控制;
2、采用对称式BOOST和NPC拓扑结构,仍然使用1200V及以下耐压的功率器件。其中,对称式BOOST电路采用SiC MOSFET,NPC电路采用1200V耐压的IGBT。这种拓扑结构和器件选择既可以实现较高的开关频率,同时又能有效的降低损耗、提高效率,减小整机的体积。
VINCOTECH针对1500V电压等级的光伏逆变器,专门推出了高集成度的对称式BOOST模块(型号10-FY09S2A065ME-L869L08)和NPC模块(型号10-F124NIx150SH03-LGx8F98),如图2和图3所示:
图2:对称式BOOST模块拓扑
10-FY09S2A065ME-L869L08为全SiC模块,其中MOSFET为900V/65mΩ的SiC MOS,采用对称式BOOST拓扑,可以实现超高的开关频率,有效减小无源器件(电感和电容)的体积和重量。同时,SiC器件具有非常低的开关损耗,可以进一步提高整机效率。
图3:NPC模块组合
10-F124NIx150SH03-LGx8F98是由两个模块组合实现NPC拓扑电路,其内部采用了1200V/150A的IGBT晶圆,组合成NPC模块后,其规格达到2400V/150A。该模块组合在满足1500V系统耐压需求的基础上,采用了低耐压的IGBT,实现了较高的开关频率,有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。
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zhaoxg Lv3. 高级工程师 2019-03-07集散式系统,智能汇流箱也可以用了!
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阿尼古 Lv8. 研究员 2023-07-11感谢分享
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terrydl Lv9. 科学家 2018-07-23学习了
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用户18396822 Lv8 2018-05-01很好
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yingqiming Lv7. 资深专家 2018-03-06不错
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产品型号
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品类
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SUB-TOPOLOGY
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PRODUCT LINE
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VOLTAGEIN(V)
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CURRENTIN(A)
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MAIN CHIP TECHNOLOGY
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HOUSING FAMILY
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HEIGHTIN(mm)
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ISOLATION
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10-EY122PA005ME-LU39F08T
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SiC功率模块
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Half-Bridge-NTC
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flowDUAL E2 SiC
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1200
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300
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SiC MOSFET
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flow E2
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12
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Al2O3
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产品型号
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品类
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产品状态
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拓扑
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电压(V)
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电流(A)
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模块高度 (mm)
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晶圆工艺
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封装
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10-0B06PPA004RC-L022A09
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SiC功率模块
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Series production
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PIM+PFC(CIP)
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600V
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4A
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17mm
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IGBT RC
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flow 0B
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可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
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可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
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