【产品】采用SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET RU207C，可用于电源管理应用
锐骏半导体推出一款SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET——RU207C，采用超高密度单元设计，漏源电压最大额定值为20V，连续漏极电流最大额定值为6A（TA=25℃），具有低导通电阻特性，可靠、坚固，可用于电源管理应用。
产品封装及内部电路图
产品特点
20V/6A
RDS(ON)=10mΩ（典型值）@VGS=4.5V
RDS(ON)=15mΩ（典型值）@VGS=2.5V
低导通电阻
超高密度单元设计
可靠、坚固
无铅、绿色环保器件，满足RoHS标准
应用
电源管理
最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由董慧翻译自锐骏半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】60V/200A N沟道增强型功率MOSFET RU6199R，可用于汽车，SMPS的高效同步等领域
RU6199R是锐骏半导体推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，该产品可靠、坚固、无铅环保，可应用于汽车，SMPS的高效同步、高速电源等。
【产品】采用PDFN5060封装的N沟道增强型功率MOSFET RU3089M，漏源电压为30V
锐骏半导体推出采用PDFN5060封装的N沟道增强型功率MOSFET RU3089M，漏源电压为30V，TC=25℃时，连续漏极电流为90A（VGS=10V）。该器件无铅和绿色环保，适用于DC/DC转换器、负载开关和同步整流。
【产品】60V/200A的N沟道增强型功率MOSFET RU6199R， 漏源导通电阻典型值2.8mΩ
RU6199R是锐骏半导体推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，具有高雪崩等级，坚固耐用，可靠性高。该产品漏源电压60V，连续漏极电流高达200A（VGS=10V，TC=25℃）。
JMTG070N06A JMT N沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMTG070N06A型号的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的槽技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于负载切换、PWM应用和电源管理等领域。
型号- JMTG070N06A
JMPC840BJ JMP N沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMPC840BJ型N沟道增强型功率MOSFET的特性、应用领域和电气特性。该器件具有500V的耐压、9A的连续漏极电流和低导通电阻，适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。
型号- JMPC840BJ,JMP
【产品】30V/81A的N沟道增强型功率MOSFET RM80N30DF，采用DFN5X6-8L封装
RM80N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于负载开关或PWM应用。
RU207C N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RU207C型N通道增强型功率MOSFET的特性、电气参数和应用。该器件具有低导通电阻、高密度细胞设计、可靠耐用等特点，适用于电源管理等领域。
型号- RU207C
RM3400 N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM3400是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，具有优异的RDS(ON)、低栅极电荷和2.5V低栅极电压下的运行能力。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
型号- RM3400V,RM3400
锐骏半导体MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的MODFET：Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A
|
产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
选型表 - 锐骏半导体 立即选型
RU8205C6 N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RU8205C6型N沟道增强型功率MOSFET的特性、电气参数和应用。该器件具有低导通电阻、高密度细胞设计、可靠耐用等特点，适用于电源管理等领域。
型号- RU8205C6
RM2312 N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM2312是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷和低栅极电压（低至2.5V）的特点。该器件适用于电池保护和其他开关应用，具有高功率和电流处理能力。
型号- RM2312V,RM2312
JMGK10V10A JMG N沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMGK10V10A型号的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Split Gate trench技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。适用于负载切换、PWM应用和电源管理等领域。
型号- JMGK10V10A,JMG
RM2302 N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM2302是一款采用先进沟槽技术的N-Channel增强型功率MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作能力。该器件适用于电池保护或开关应用。
型号- RM2302
60N18 N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了深圳市富满电子集团股份有限公司生产的60N18型号N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有60V耐压、10A连续漏极电流和低导通电阻（RDS(ON)小于16.8mΩ），适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。
型号- 60N18
RU207C N沟道高级功率MOSFET数据表
描述- 本资料介绍了RU207C型N通道增强型功率MOSFET的特性、电气参数和应用。该器件具有低导通电阻、高密度细胞设计、可靠耐用等特点，适用于电源管理等领域。
型号- RU207C
电子商城
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论