【产品】采用SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET RU207C，可用于电源管理应用

时间： 2022-04-18 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体推出一款SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET——RU207C，采用超高密度单元设计，漏源电压最大额定值为20V，连续漏极电流最大额定值为6A（T_A=25℃），具有低导通电阻特性，可靠、坚固，可用于电源管理应用。

产品封装及内部电路图

产品特点

20V/6A

R_DS(ON)=10mΩ（典型值）@V_GS=4.5V

R_DS(ON)=15mΩ（典型值）@V_GS=2.5V

低导通电阻

超高密度单元设计

可靠、坚固

无铅、绿色环保器件，满足RoHS标准

应用

电源管理

最大额定参数(T_A=25℃，除非特别说明)

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