【技术】什么是MOS管充放电保护电路?
MOS管充放电保护电路是用于保护MOS管的充放电过程的电路。在MOS管的充放电过程中,由于存在反向电压或电流的可能性,可能会导致MOS管损坏或失效。为了避免这种情况的发生,需要使用充放电保护电路。
充放电保护电路可以分为两种类型:单向保护电路和双向保护电路。单向保护电路主要针对MOS管在充电过程中产生的反向电压或电流,通过添加二极管等元器件来避免这些反向电压或电流对MOS管造成的损害。而双向保护电路则可以在MOS管充电和放电的过程中都进行保护,通常采用MOS管和二极管组合实现。
无论采用何种保护方法,必须注意保持保护电路电阻的合适,以避免过量电流流过保护电路,从而导致保护电路本身产生过热和损坏。
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型号- 30V-050,YAZ1P5D47,25D301K,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,ESDLC24VD8B,3R075L-8X10,HLT9P04C,HLS150N30K,YAZ1P5D51,5.0SMDJ170A,P8SMB120CA,16V-110,15KP58A,SMD1206-351,YAZ1P5D3V3,ESDLC15VD3B,YAZ1P5D3V6,RS3BBF,YAZ1P5D56,5D361KJ,HLS135N100,P8SMB13CA,YAZ1P5D3V9,HLS80R1K5,SMDJ78CA,HLP9N90,ES2JBF,ESDLC8V0D3B,S2MB,1812 SERIES,PGB0603-05,YC2M2012B121GBE,YAZ1P5D62,Y1ZP35D43G,HLS80R1K1,10D560KJ,SMCJ14CA,5D121KJ,P8SMB60A,S2MF,YAZ1P5D68,HLT30P55,HLS70N40K,HLP9N80,30V-075,5.0SMDJ85A,PGB0603-12,SMCJ100CA,SMBJ300A,YAZ1P5D75,5KP30A,HLS55N100PF5,SMF120CA,SMBJ150CA,16V-135,SMDJ170A,SMAJ70A,33D-7,250V SERIES,HLP9N70,33D-5,PGB0603-24,HLT9P03C,SMDJ58A,33D-9,HLG3401A1N,32D122K,SA48CA,SMCJ30A,YAZ1P5D82,ESD12VAP,HLP2P06C,10D-11,HLP14N80,SA180A,10D-13,10D-15,15KP54A,20D781KH,20D781KJ,15KP120CA,YAZ1P5D91,SA22CA,P6KE8.2CA,SMAJ100A,16V-160,5.0SMDJ170CA,SA110CA,HLS60200K,ESD12VD3,HLT30P10,SMDJ54A,10D680KJ,SMD1210-150-6V,SMDJ160CA,3KP14CA,SMBJ400CA,5KP SERIES,SMF36CA,ESD24VAP,ESD12VD8,ESD12VD5,7D220KJ,P6SMB51CA,ESD12VD9,10D K 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Mos管怎么看型号和功率的关系
MOS管的型号通常由字母和数字组成,代表着其特性和性能。这些信息包括厂家代号、产品系列、产品类型、额定电流、额定电压等参数。而功率主要取决于MOS管的额定电流和额定电压。因此在选择MOS管时,需要根据实际应用场景中的电流和电压需求来确定合适的型号。
音特电子气体放电管选型表
音特电子气体放电管选型表提供以下参数,DC Spark-over Voltage 100V/s:75V~3600V;Impulse Spark-over Voltage 1KV/µs:300V~3600V;Nominal Impulse Discharge Current 8/20μs:0.5KA~10KA.
产品型号
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品类
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DC Spark-over Voltage 100V/s
|
Impulse Spark-over Voltage 1KV/µs
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Minimum Insulation Resistance Test Voltage
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Minimum Insulation Resistance
|
Maximum Capacitance 1MHz
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Nominal Impulse Discharge Current 8/20μs
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Impulse DischargeVoltage 10/700 uS
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SMD1206-091
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气体放电管
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90V±30%
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<750V
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50V
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1000MΩ
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0.3pF
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0.5KA
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4KV
|
选型表 - 音特电子 立即选型
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