本文由李熠翻译自Diotec,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】采用SOT-223封装的NPN晶体管BCP55、BCP56,集电极电流的最大额定值为1A
BCP55、BCP56是Diotec(德欧泰克)推出的表面贴装型(SMD)大电流NPN晶体管,其中BCP56的推荐互补PNP晶体管为BCP53。 BCP55、BCP56的集电极-发射极电压分别为60V、80V,最大结温为150℃。
新产品 发布时间 : 2019-10-11
【产品】8A/60V硅NPN达林顿功率晶体管裸片, 专为高增益放大器应用而设计
CP127-2N6300是Central Semiconductor推出的一款硅NPN达林顿功率晶体管裸片,专为高增益放大器应用而设计。该产品具有较高的耐压值,集电极-基极电压以及集电极发射极电压均可高达60V,连续集电极电流为8A,峰值集电极电流更是高达16A,可满足一般的大电流的应用需求。
新产品 发布时间 : 2019-03-01
【产品】TO-3封装互补硅达林顿功率晶体管,具有NPN型和PNP型
CENTRAL推出的2N6282/2N6283/2N6284(NPN型)和2N6285/2N6286/2N6287(PNP型)系列晶体管是互补硅单片达林顿晶体管,采用外延基极工艺制造,专为通用大电流,高增益放大器和开关应用而设计。散热性好,具有较宽的工作温度范围。
新产品 发布时间 : 2018-12-08
DIOTEC Bipolar Transistors选型表
DIOTEC Bipolar Transistors 双极晶体管提供以下参数选型: Collector Emitter Voltage VCEO[V]:-400~700、DC Collector Current Ic[mA]:-5000~4000、Junction Temperature Tjmax [℃]:150、Power Dissipation Ptot[W]:0.15~25、DC Current Gain hfe:20~630、DC Current Gain VCE[V]:-1~10、DC Current Gain IC[mA]:-1000~500、Collector Saturation Voltage VCEsat[mA]:0~1600、Collector Saturation Voltage IC[mA]:-100~2000、Collector Saturation Voltage IB[mA]:-150~200、Gain Bandwidth Product ft[MHz]:0~600、Gain Bandwidth Product IC[mA]:-100~500、Gain Bandwidth Product VCE[V]:-4~20、Gain Bandwidth Product f[MHz]:0~200
产品型号
|
品类
|
Type
|
Package
|
Collector Emitter Voltage VCEO[V]
|
DC Collector Current Ic[mA]
|
Polarity pol
|
Junction Temperature Tjmax [℃]
|
Power Dissipation Ptot[W]
|
DC Current Gain hfe
|
DC Current Gain VCE[V]
|
DC Current Gain IC[mA]
|
Collector Saturation Voltage VCEsat[mA]
|
Collector Saturation Voltage IC[mA]
|
Collector Saturation Voltage IB[mA]
|
Gain Bandwidth Product ft[MHz]
|
Gain Bandwidth Product IC[mA]
|
Gain Bandwidth Product VCE[V]
|
Gain Bandwidth Product f[MHz]
|
2N2222A
|
Bipolar Transistors
|
Wire-lead
|
TO-92
|
40
|
600
|
NPN
|
150
|
0.625
|
100
|
10
|
150
|
300
|
150
|
15
|
250
|
20
|
20
|
100
|
选型表 - DIOTEC 立即选型
Diotec(德欧泰克)MOSFET/三极管选型指南
型号- DI035P04PT,DIT050N06,DI050N04PT,2SA1012R,DI080N03PQ,DI035N10PT,DI015N25D1,DIT100N10,DIT090N06,DIT195N08,DI110N15PQ,DIT120N08,DI080N06PQ,DI150N03PQ,DI020N06D1,DI068N03PQ,DI045N03PT,DI040N03PT,2SC3851,DI028P03PT,2SC2983,DIT095N08,DI030N03D1,DI110N04PQ,DI010N03PW,DI045N10PQ,DI100N10PQ,DIT150N03,DI038N04PQ2,DI110N03PQ
Diotec(德欧泰克) BCP55/BCP56 SMD大电流NPN晶体管 数据手册
描述- BCP55 | BCP56SMD High Current NPN Transistors datasheet
型号- BCP56,BCP53,BCP55
【产品】表面安装硅互补功率晶体管CJD200和CJD210,,低饱和!低压降!低功耗!
CJD200(NPN)和CJD210(PNP)是CENTRAL半导体公司推出的表面安装硅互补功率晶体管,他们具有低饱和压降、低功耗等特点。其采用了DPAK表面贴装封装,可用于大电流放大器的应用设计。
新产品 发布时间 : 2018-06-08
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制变压器支持60W-600W范围,额定电流最高10A,漏感稳定度最小3%;支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论