【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式，你知道么？
由于氮化镓场效应晶体管具有本质上更低的导通电阻，氮化镓器件的尺寸比具有同等导通电阻的功率MOSFET晶片小很多，故氮化镓具有更高的等效热阻。因此，氮化镓的散热多采用单面冷却和双面冷却两种方式。
单面冷却：
氮化镓场效应晶体管是直接安装在印刷电路板上，没有配置任何的背面冷却器件，其散热表现与贴片封装的硅器件的散热表现是一样的。单面冷却的散热条件下，器件的热特性主要取决于以下几点：
（1）印刷电路板的铜箔面积的大小
（2）铜的厚度程度
（3）印刷电路板的散热材料的散热系数
（4）器件上面的气流的流动情况
当不同封装被安装在同一平米英寸的铜的上面时，场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W，而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。而同样的条件下，宜普公司（EPC）的氮化镓场效应晶体管在静止的空气条件下的RθJA值高达40℃/W，增加空气气流改善程度更高。可见，同样的单面冷却下，氮化镓散热系数更高。相对而言，氮化镓单面冷却方式下想达到硅MOSFET同样的散热效果，可通过条件上诉的几点热特性实现。
双面冷却：
双面冷却是在单面冷却的基础上进一步的优化散热效果的冷却方式。氮化镓常用的双面冷却方式是在氮化镓器件的背面增加冷却器件（见图1）。因此，双面冷却的热特性主要体现在：
（1）印刷电路板的铜箔面积的大小
（2）铜的厚度程度
（3）印刷电路板的散热材料的散热系数
（4）器件背面的散热器件的散热系数
图1：氮化镓双面冷却示意图
下图2是EPC2001、EPC2007、EPC2010、EPC2012、EPC2014和EPC2015的热阻一览表，从表格可以看出器件之间的热阻参数的差异。实际应用时，就可以通过单面冷却和双面冷却的主要特性去调节和进一步优化散热效果。
图2：热阻览表
世强元件电商版权所有，转载请注明来源和链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 260
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
相关研发服务和供应服务
正在努力加载……相关推荐
氮化镓如何驱动机器人的运动、感官、大脑（二）——氮化镓在激光雷达系统中的应用
本文作者为EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow，为“氮化镓驱动人形机器人”系列文章的第二篇，讲述氮化镓器件在激光雷达系统中的重要作用，以及如何为人形机器人带来更加优秀的视觉感知能力。
技术探讨 发布时间 : 2024-10-24
【技术】氮化镓开关频率：在下一代高频电路中使用氮化镓技术
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬、机械稳定的宽带隙半导体，用于生产功率器件以及射频元件和发光二极管（LED）。氮化镓器件与硅器件相比，有哪些明显优势？它的高开关频率能为哪些应用领域带来益处？本文中EPC将为大家详细介绍。
技术探讨 发布时间 : 2023-06-14
【技术】论氮化镓技术及其产品的发展与应用
EPC第五代氮化镓eGaN技术的产品系列，无论在性能及成本上都实现质的飞跃——产品具备更高的性能、小型化及更低的成本。
技术探讨 发布时间 : 2019-08-29
【应用】开关速度为纳秒级的氮化镓功率MOSFET助力包络跟踪电源
EPC的氮化镓功率MOSFET其开关速度在纳秒级范围，具备超快速开关性能，可应用于包络跟踪的高频多相降压转换器中。
新应用 发布时间 : 2018-03-06
【技术】为什么选择氮化镓替代硅基MOSFET？
EPC公司的氮化镓晶体管及集成电路的制造工艺跟硅基功率MOSFET的工艺相似，制造氮化镓器件的工艺步骤更少，以及在每次制造工艺中产出更多器件。与最优的硅基MOSFET相比，氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。氮化镓晶体管（特别是eGaN FET）跟日益老化的功率MOSFET器件的行为非常相似，功率系统工程师可利用他们拥有的设计经验便可以发挥氮化镓器件的优势。
原厂动态 发布时间 : 2017-07-05
泰高240W氮化镓多口快充电源方案，相比单口充电器体积缩小20%
2022年7月13日，深圳市泰高技术有限公司（下称“泰高”）与世强先进（深圳）科技股份有限公司（下称“世强先进”）签署代理协议，授权世强先进代理其旗下氮化镓电源产品、低噪声放大器、射频功率放大器、射频开关等全线产品。 资料显示，泰高是一家国产氮化镓功率器件公司,主要从事氮化镓基与碳化硅基材料技术的集成电路的研发和销售。产品广泛应用于新能源汽车、工业自动化和数据中心等领域。
公司动态 发布时间 : 2022-08-15
EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版（AB003）
型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C
氮化镓器件逐步替代旧有硅基MOSFET，性能极限高出6000倍
氮化镓（GaN）的问世和应用地逐渐淘汰了目前使用的硅基材料。随着硅材料的MOSFET接近其理论极限，已很难继续改进。同时氮化镓在朝向理论性能边界稳步发展，该性能边界是当前的MOSFET的6000倍。EPC研发的eGaN FET可逐渐代替硅基晶体管，性能上大幅提升。
新技术 发布时间 : 2020-11-07
电子商城
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥5.6384
现货： 2,417
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥5.9251
现货： 2,357
品牌：EPC
品类：Enhancement Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥4.3005
现货： 2,099
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥10.5122
现货： 1,670
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥29.4342
现货： 485
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥29.9121
现货： 465
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
查看全部1条回复