【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式，你知道么？
由于氮化镓场效应晶体管具有本质上更低的导通电阻，氮化镓器件的尺寸比具有同等导通电阻的功率MOSFET晶片小很多，故氮化镓具有更高的等效热阻。因此，氮化镓的散热多采用单面冷却和双面冷却两种方式。
单面冷却：
氮化镓场效应晶体管是直接安装在印刷电路板上，没有配置任何的背面冷却器件，其散热表现与贴片封装的硅器件的散热表现是一样的。单面冷却的散热条件下，器件的热特性主要取决于以下几点：
（1）印刷电路板的铜箔面积的大小
（2）铜的厚度程度
（3）印刷电路板的散热材料的散热系数
（4）器件上面的气流的流动情况
当不同封装被安装在同一平米英寸的铜的上面时，场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W，而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。而同样的条件下，宜普公司（EPC）的氮化镓场效应晶体管在静止的空气条件下的RθJA值高达40℃/W，增加空气气流改善程度更高。可见，同样的单面冷却下，氮化镓散热系数更高。相对而言，氮化镓单面冷却方式下想达到硅MOSFET同样的散热效果，可通过条件上诉的几点热特性实现。
双面冷却：
双面冷却是在单面冷却的基础上进一步的优化散热效果的冷却方式。氮化镓常用的双面冷却方式是在氮化镓器件的背面增加冷却器件（见图1）。因此，双面冷却的热特性主要体现在：
（1）印刷电路板的铜箔面积的大小
（2）铜的厚度程度
（3）印刷电路板的散热材料的散热系数
（4）器件背面的散热器件的散热系数
图1：氮化镓双面冷却示意图
下图2是EPC2001、EPC2007、EPC2010、EPC2012、EPC2014和EPC2015的热阻一览表，从表格可以看出器件之间的热阻参数的差异。实际应用时，就可以通过单面冷却和双面冷却的主要特性去调节和进一步优化散热效果。
图2：热阻览表
世强元件电商版权所有，转载请注明来源和链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 260
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
正在努力加载……相关推荐
氮化镓如何驱动机器人的运动、感官、大脑（三）——氮化镓器件在人工智能系统中的重要作用
本文作者为EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow，为“氮化镓驱动人形机器人”系列文章的第三篇，讲述氮化镓器件在人工智能系统中的重要作用，展示了人工智能浪潮如何为人形机器人带来新机遇。
氮化镓如何驱动机器人的运动、感官、大脑（一）——氮化镓器件如何在人形机器人的运动领域发挥作用
本文介绍氮化镓器件如何在人形机器人的运动领域发挥作用。
氮化镓如何驱动机器人的运动、感官、大脑（二）——氮化镓在激光雷达系统中的应用
本文作者为EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow，为“氮化镓驱动人形机器人”系列文章的第二篇，讲述氮化镓器件在激光雷达系统中的重要作用，以及如何为人形机器人带来更加优秀的视觉感知能力。
【技术】为什么选择氮化镓替代硅基MOSFET？
EPC公司的氮化镓晶体管及集成电路的制造工艺跟硅基功率MOSFET的工艺相似，制造氮化镓器件的工艺步骤更少，以及在每次制造工艺中产出更多器件。与最优的硅基MOSFET相比，氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。氮化镓晶体管（特别是eGaN FET）跟日益老化的功率MOSFET器件的行为非常相似，功率系统工程师可利用他们拥有的设计经验便可以发挥氮化镓器件的优势。
【视频】EPC氮化镓产品在DCDC的应用，可减少损耗
描述- Efficient Power Conversion (EPC) 作为全球领先的功率转换技术供应商，提供基于氮化镓 (GaN) 的场效应晶体管 (FET) 和集成电路 (IC)。EPC 的 GaN 基器件具有高效率、快速开关速度、小型化和低成本等优势，广泛应用于消费电子、通信、汽车和可再生能源领域。资料中详细介绍了 GaN 基 DC-DC 转换器，包括企业电源架构、功率密度、EPC9159 转换器规格、转换器概述、特色 GaN FET 以及效率与损耗测量等。此外，还讨论了 GaN FET 在提高功率密度和简化设计方面的优势。
型号- EPC2302,EPC2305,EPC2308,EPC23101,EPC23102
RC65D270E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- RC65D270E系列650V、270mΩ氮化镓(GaN)FET是常关型器件，通过降低栅极电荷、提高开关速度和降低动态导通电阻，提供更高的效率。该系列器件适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机和工业等领域。
型号- RC65D270E SERIES,RC65D270E
【应用】开关速度为纳秒级的氮化镓功率MOSFET助力包络跟踪电源
EPC的氮化镓功率MOSFET其开关速度在纳秒级范围，具备超快速开关性能，可应用于包络跟踪的高频多相降压转换器中。
氮化镓器件逐步替代旧有硅基MOSFET，性能极限高出6000倍
氮化镓（GaN）的问世和应用地逐渐淘汰了目前使用的硅基材料。随着硅材料的MOSFET接近其理论极限，已很难继续改进。同时氮化镓在朝向理论性能边界稳步发展，该性能边界是当前的MOSFET的6000倍。EPC研发的eGaN FET可逐渐代替硅基晶体管，性能上大幅提升。
RC65D600E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 本资料介绍了RealChip公司生产的650V GaN HEMT器件RC65D600E。该系列产品采用氮化镓（GaN）技术，具有低导通电阻、快速开关速度和较低的门极电荷等特点，适用于汽车、适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机以及工业等领域。
型号- RC65D600E,RC65D600E SERIES
EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）
描述- 本文介绍了eGaN® FET技术，一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比，eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势，包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等，并提供了选型指南和设计支持资源。
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版（AB003）
描述- 本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR)，从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。
型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C
2KK8006NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 本资料介绍了650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）两种类型的SMD器件。重点阐述了2KK8006NEDFN型号的GaN HEMT的特性，包括其电气特性、典型特性、封装尺寸等，并比较了其在提高效率、降低损耗方面的优势。
型号- 2KK8006NEDFN
RC65D270B氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- RC65D270B系列650V GaN HEMT是RealChip公司生产的650V、270mΩ氮化镓场效应晶体管，具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业等领域。
型号- RC65D270B,RC65D270B SERIES
【产品】低损耗高效率GaN高频增强型功率晶体管，总栅极电荷仅370pC
EPC的EPC8009导通电阻为90mΩ，具有很低的FOM值。
2KK8007NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 本资料介绍了650V氮化镓（GaN）HEMT晶体管2KK8007NEDFN的特性。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度，适用于快充、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
型号- 2KK8007NEDFN
电子商城
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥5.6384
现货： 2,417
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥5.9251
现货： 2,357
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥10.5122
现货： 1,620
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥29.4342
现货： 485
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥29.9121
现货： 465
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥29.2431
现货： 401
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
查看全部1条回复