【产品】SMD封装的100V超薄N沟道功率MOSFET

时间： 2018-02-25 来源：SHINDENGEN(世强编辑整理) 作者：张山三

技术问答

P13LA10EL是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款100V，13A的N沟道功率MOSFET，它采用薄型SMD的封装方式，厚度仅1mm，拥有较高的可靠性。器件可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、功率因数校正（PFC）和电机驱动等应用。

图一：P13LA10EL的封装示意图

N沟道功率MOSFET P13LA10EL采用LA的封装方式，总损耗功率P_T最大值仅1.7W，结到环境的热阻θ_ja最大为73℃/W，有较低的能量损耗，有效提高了能源利用效率。器件的存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。

图二：P13LA10EL典型输出特性及转移特性曲线

图三：P13LA10EL电容特性曲线

N沟道功率MOSFET P13LA10EL的静态漏源导通电阻R_（DS）ON典型值仅为17.5mΩ（I_D＝6.5A,V_GS＝4.5V），器件拥有较低的损耗，总门极电荷Q_g典型值仅为57nC，有着较好的开关性能，此外，MOSFET还拥有高开关速度，其导通延迟时间t_d（on)典型值为8.5ns，上升时间t_r典型值为7ns，关断延迟时间t_d（off)典型值为24ns，下降时间t_f典型值为3.5ns，能够满足高频开关电路的设计需求。

P13LA10EL的主要特点：

•薄型SMD的封装

•4.5V门级驱动

•漏极-源极电压V_DSS为100V

•漏极持续电流（DC）I_D最大值为13A

•静态漏源导通电阻R_（DS）ON典型值仅为17.5mΩ（I_D＝6.5A,V_GS＝4.5V）

•存储温度范围为-55～150℃，沟道温度最高150℃

•结到环境的热阻θ_ja最大为73℃/W

•器件总损耗功率最大值为1.7W

•总门极电荷Q_g典型值为57nC（V_DD=80V，V_GS=10V，I_D=13A）

•导通延迟时间t_d（on)典型值为8.5ns，上升时间t_r典型值为7ns，关断延迟时间t_d（off)典型值为24ns，下降时间t_f典型值为3.5ns（I_D=6.5A，R_L=7.7Ω，V_DD=50V，R_g=0Ω，V_GS（+）=10V，V_GS（-）=0V）

• 零门极电压漏电流I_DSS最大仅为1uA（V_DS=100V，V_GS=0V）

•门极-源极漏电流I_GSS最大为±0.1uA（V_GS=±20V，V_DS=0V）

•正向跨导gfs典型值为24S（I_D＝6.5A,V_DS＝10V）

• 可承受单一的雪崩电流I_AS达13A，可承受雪崩能量E_AS为23mJ（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）

P13LA10EL的主要应用：

•高速脉冲放大器

•负载/电源开关

•电源转换器电路

•功率因数校正（PFC）

•电机驱动

技术顾问：惠惠

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全部评论（3）

用户18396822 Lv8 2018-08-11

很好
yingqiming Lv7. 资深专家 2018-08-10

不错
风吹来的砂 Lv3. 高级工程师 2018-03-26

哇塞厉害了，这么薄耐压也能做这么高。

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