【产品】SMD封装的100V超薄N沟道功率MOSFET
P13LA10EL是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款100V，13A的N沟道功率MOSFET，它采用薄型SMD的封装方式，厚度仅1mm，拥有较高的可靠性。器件可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、 功率因数校正（PFC）和电机驱动等应用。
图一：P13LA10EL的封装示意图
N沟道功率MOSFET P13LA10EL采用LA的封装方式，总损耗功率PT最大值仅1.7W，结到环境的热阻θja最大为73℃/W，有较低的能量损耗，有效提高了能源利用效率。器件的存储温度范围在-55℃~150℃，沟道温度最高为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。
图二：P13LA10EL典型输出特性及转移特性曲线
图三：P13LA10EL电容特性曲线
N沟道功率MOSFET P13LA10EL的静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为17.5mΩ（ID＝6.5A,VGS＝4.5V），器件拥有较低的损耗，总门极电荷Qg典型值仅为57nC，有着较好的开关性能，此外，MOSFET还拥有高开关速度，其导通延迟时间td（on)典型值为8.5ns，上升时间tr典型值为7ns，关断延迟时间td（off)典型值为24ns，下降时间tf典型值为3.5ns，能够满足高频开关电路的设计需求。
P13LA10EL的主要特点：
•薄型SMD的封装
•4.5V门级驱动
•漏极-源极电压VDSS 为100V
•漏极持续电流（DC）ID最大值为13A
•静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为17.5mΩ（ID＝6.5A,VGS＝4.5V）
•存储温度范围为-55～150℃，沟道温度最高150℃
•结到环境的热阻θja最大为73℃/W
•器件总损耗功率最大值为1.7W
•总门极电荷Qg典型值为57nC（VDD=80V，VGS=10V，ID=13A）
•导通延迟时间td（on)典型值为8.5ns，上升时间tr典型值为7ns，关断延迟时间td（off)典型值为24ns，下降时间tf典型值为3.5ns（ID=6.5A，RL=7.7Ω，VDD=50V，Rg=0Ω，VGS（+）=10V，VGS（-）=0V）
• 零门极电压漏电流IDSS最大仅为1uA（VDS=100V，VGS=0V）
•门极-源极漏电流IGSS最大为±0.1uA（VGS=±20V，VDS=0V）
•正向跨导gfs典型值为24S（ID＝6.5A,VDS＝10V）
• 可承受单一的雪崩电流IAS达13A，可承受雪崩能量EAS为23mJ（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）
P13LA10EL的主要应用：
•高速脉冲放大器
•负载/电源开关
•电源转换器电路
•功率因数校正（PFC）
•电机驱动
技术顾问：惠惠
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用户18396822 Lv8 2018-08-11很好 -
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yingqiming Lv7. 资深专家 2018-08-10不错 -
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风吹来的砂 Lv3. 高级工程师 2018-03-26哇塞厉害了，这么薄耐压也能做这么高。
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