【产品】杜因特推出N沟道MOS管BC003NG-E，具有低栅极电荷，栅源电压±20V
杜因特推出的N沟道MOS管BC003NG-E可提供绿色环保器件，采用先进的沟槽技术和设计，实现具有低栅极电荷的出色RDS(on)。该器件采用先进的TO-263外壳封装，可提供良好的散热性能，可适用于各种应用。
特点：
1）VDS=30V，ID=150A，RDS(ON)＜3mΩ，@VGS=10V
2）低栅极电荷
3）提供绿色器件
4）采用先进的高单元密度沟槽技术，具有超低RDS(ON)
5）采用先进的外壳封装，可提供良好的散热性能
封装图和示意图：
绝对额定最大值（除非另有说明，否则TC=25℃）：
热性能：
封装标记和订购信息：
电气特性：
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.EAS条件：TJ=25℃，VDD=15V，VG=10V，RG=25Ω，L=0.5mH，IAS=30A
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤0.5%
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产品型号
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品类
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VDSS(V)(MIN)
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ID(A) at 25℃
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VGS(V)(MAX)
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Ciss(pF)(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
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DB010NG
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MOSFET
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20V
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30A
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12V
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990pF
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8MΩ
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10MΩ
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型号- 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
杜因特MOS管选型表
杜因特提供MOSFET管的以下参数选型，VDSS(V)：-200~900，ID(A)25℃：-140~500，多种封装TO-252，TO-220S，TO-220R，TO-247S等。
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产品型号
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品类
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Package
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Technology
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Schottky
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N/P
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VDSS(V)
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ID(A)25℃
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RDS(ON)(MΩ)4.5V(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)4.5V(MAX)
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RDS(ON)(MΩ)2.5(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)2.5V(MAX)
|
VGS(V)(MAX)
|
VGS(TH)(V)L
|
VGS(TH)(V)H
|
Ciss(pF)(TYP)
|
Qg nC(TYP)
|
@VGS(V)
|
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DB006NG-B
|
MOSFET
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TO-252
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Trench
|
N
|
N
|
20
|
60
|
4.5
|
6
|
7
|
10
|
12
|
0.5
|
1
|
1820
|
25
|
4.5
|
选型表 - 杜因特 立即选型
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