【产品】杜因特推出N沟道MOS管BC003NG-E,具有低栅极电荷,栅源电压±20V

2022-09-08 杜因特
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杜因特推出的N沟道MOS管BC003NG-E可提供绿色环保器件,采用先进的沟槽技术和设计,实现具有低栅极电荷的出色RDS(on)。该器件采用先进的TO-263外壳封装,可提供良好的散热性能,可适用于各种应用


特点:

1)VDS=30V,ID=150A,RDS(ON)<3mΩ,@VGS=10V

2)低栅极电荷

3)提供绿色器件

4)采用先进的高单元密度沟槽技术,具有超低RDS(ON)

5)采用先进的外壳封装,可提供良好的散热性能

 

封装图和示意图:


绝对额定最大值(除非另有说明,否则TC=25℃):


热性能:


封装标记和订购信息:


电气特性:

注:

1.重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制

2.EAS条件:TJ=25℃,VDD=15V,VG=10V,RG=25Ω,L=0.5mH,IAS=30A

3.脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤0.5%

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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品类
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VGS(V)(MAX)
Ciss(pF)(TYP)
RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)
RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
DB010NG
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20V
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990pF
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选型表  -  杜因特 立即选型

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

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