【产品】120V/100A功率 MOSFET，全功率损耗为238W
新电元公司推出一款表面贴装（SMD）功率MOSFET——P100FP12SNK，该款功率MOSFET的储存温度为-55~175℃，沟道温度为175℃，采用10V栅极驱动。P100FP12SNK的漏源电压为120V，栅源电压为±20V，直流连续漏极电流为100A，连续漏极电流峰值为400A，全功率损耗为238W。此外，P100FP12SNK可有效的抑制雪崩效应，在起始Tch=25℃，Tch≦150℃的测试条件下，其单脉冲雪崩电流为57A，单脉冲雪崩能量高达373mJ。
P100FP12SNK具有较低的静态导通电阻，在直流连续漏极电流为50A，栅源电压为10V的测试条件下，其静态导通电阻典型值仅为5.6mΩ，最大值仅为7.0 mΩ。此外，该款功率MOSFET还具有低电容特性，其输入电容典型值为9600pF，反向传输电容典型值320pF，输出电容典型值730pF。
P100FP12SNK的总栅极电荷典型值为164nC，栅源电荷典型值为47nC，栅漏电荷典型值为63nC。P100FP12SNK采用FP封装, 尺寸大小为13.3mm×10.2mm×4.6mm。
图1 功率MOSFET P100FP12SNK实物图
功率MOSFET P100FP12SNK特点：
·漏源电压为120V，栅源电压为±20V；
·直流连续漏极电流为100A，连续漏极电流峰值为400A；
·全功率损耗为238W；
·总栅极电荷典型值为164nC；
·单脉冲雪崩电流为57A，单脉冲雪崩能量高达373mJ（起始Tch=25℃，Tch≦150℃）；
·静态导通电阻典型值为5.6mΩ（ID=50A，VDS=10V）；
·采用FP封装, 尺寸大小为13.3mm×10.2mm×4.6mm。
·存储温度范围：-55~175℃。
技术顾问：惠惠
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