【产品】 50V高电压，7W功率封装氮化镓晶体管
全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商UMS于近期推出了一款高电压高功率氮化镓晶体管——CHK007A-QIA，该产品可在50V的高电压下输出大于7W的功率，同时具有70%的高效率和6GHz的大带宽，可以为各种射频功率应用提供通用和宽频带解决方案。
CHK007A-QIA是一款氮化镓高电子迁移率晶体管，耐高压（工作电压为50V），且具有大于7W的输出功率（输出功率典型值10W）和70%的高效率，小信号增益典型值15dB,可实现对信号的有效放大和传输，提高系统利用率。该产品兼容脉冲及CW两种操作模式，最大功率增加效率典型值为50%，而此时的相关增益典型值为12dB，在高功率下仍然保持较高的效率和增益。
在工艺和封装方面，CHK007A-QIA采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术开发，采用标准表面贴装14引脚DFN 3*4mm封装，是一种低寄生、低成本塑料，符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006等相关标准要求，但与此同时需要外部电路进行匹配。
图1：CHK007A-QIA实物图
CHK007A-QIA的产品特性：
•漏源电压最大值：50V
•小信号增益典型值：15dB
•饱和输出功率典型值：10W
•最大功率增加效率（PAE）典型值：50%
•相关增益@PAE典型值：12dB
•最大结温：230℃
•热阻典型值：10℃/W
•存储温度：-55℃~150℃
CHK007A-QIA的应用：
•雷达
•通信系统
•射频功率应用
技术顾问：采蘑菇的小红帽
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域雄鹰雪 Lv7. 资深专家 2018-08-18看参数很不错 -
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用户_0348 Lv3. 高级工程师 2018-07-29学习 -
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小倾听 Lv8. 研究员 2018-05-28学习 -
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毛豆 Lv3. 高级工程师 2018-04-27赞 -
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辛巴 Lv8. 研究员 2018-04-10厉害
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