【产品】可保护两个高速线对的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，电容典型值低至1.5pF
高特半导体（GoalTop）是一家专注于ESD/TVS防护器件，快恢复二极管，超低正向压降肖特基二极管等产品的高新技术企业。GESD2203-33是其推出的一款低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列，旨在为高速数据接口提供静电防护，该产品电容典型值仅为1.5pF，旨在保护寄生敏感系统免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000-4-2（ESD），4级（±15kV空气放电，±8kV接触放电），IEC 61000-4-4（电快速瞬变 - EFT）（40A，5/50 ns），IEC 61000-4-5 (Surge) (12A, 8/20μs)，快速充电设备模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等。
图1 GESD2203-33的PIN配置图
每个GESD2203-33器件可以保护两个高速线对。“flow-thru”设计可最大限度地减少走线电感，并减少与ESD事件相关的电压过冲。低电容和高ESD稳健性的综合功能使GESD2203-33L成为高速数据端口和高频线路（如千兆以太网端口）应用的理想选择，且低钳位电压可确保受保护IC的压力最小。
GESD2203-33采用DFN-8L封装，无卤素材料，卷带包装，卷尺寸为7英寸，符合MSL 1要求，可燃性等级为UL 94V-0，高温焊接温度条件为260℃（10s）。
图2 GESD2203-33的封装尺寸图
电气特性方面，绝对最大额定值下，峰值脉冲功率（tP= 8/20μs）为150W，峰值脉冲电流（tP= 8/20μs）为12A，ESD静电防护IEC 61000-4-2（空气放电）和IEC 61000-4-2（接触放电）的VESD均为±30kV，工作温度为-45℃~+85℃，储存温度为-55℃~+150℃。25℃下的具体电气参数如图。
图3 GESD2203-33在25℃下的电气参数
GESD2203-33瞬态电压抑制器（TVS）阵列的产品特性：
•高速数据线的瞬态保护
IEC 61000-4-2（ESD）±30kV（空气放电），±30kV（接触放电）
IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50 ns）
IEC 61000-4-5 (Surge) 12A（8/20μs)
•针对高速线路进行优化的封装
•保护两个线对
•低电容：1.5pF（典型值）
•低漏电流：10nA（典型值）
•低工作和低钳位电压
•每个I / O引脚可承受超过1000次ESD冲击，可实现±8kV接触放电
GESD2203-33瞬态电压抑制器（TVS）阵列的应用：
•10/100 / 1000M以太网端口
•WAN / LAN设备
•台式机，服务器和笔记本电脑
•手机
•开关系统
•音频/视频输入
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guojun Lv9. 科学家 2019-01-26分享收藏学习学习 -
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duanmaxie Lv8. 研究员 2019-01-26不错 -
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LouBing Lv7. 资深专家 2019-01-26每天进步一点点
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