【产品】容量达1Gb的双倍数据速率架构DDR3L SDRAM,传输速率高达1600 Mb/sec /pin

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ALLIANCE MEMORY公司推出一款双倍数据速率架构DDR3L同步动态随机存取存储器(即SDRAM),容量达1Gb,可实现高速运行。它在内部配置为八个bank DRAM,内部结构为8Mbit x 16 I / Os x 8 bank。对于一般应用,该芯片可实现高达1600 Mb / sec / pin的高速双数据传输速率。
该芯片的设计符合所有关键的DDR3L DRAM主要特性,所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点(CK上升和CK#下降)。所有I / O都以源同步方式与差分DQS对同步。这些器件采用1.35V -0.067V / + 0.1V单电源供电,采用BGA封装。
表1 速率等级
表2 订购信息
特征:
· JEDEC标准兼容
· 电源:VDD和VDDQ = + 1.35V
· 向后兼容电压:VDD和VDDQ = 1.5V +/- 0.075V
· 工作温度:
- 商业(0~95°C)
- 工业(-40~95°C)
· 支持JEDEC时钟抖动规范
· 完全同步操作
· 快速时钟频率:800MHz
· 差分时钟,CK和CK#
· 双向差分数据选通
-DQS&DQS#
· 8个内部bank并行运行
· 8n位预取架构
· 内部流水线架构
· 预充电和主动断电
· 可编程模式和扩展模式寄存器
· 附加延迟(AL):0,CL-1,CL-2
· 可编程突发长度:4,8
· 突发类型:顺序/交错
· 输出驱动器阻抗控制
· 8192个刷新周期/ 64ms
- 平均刷新周期
· 7.8μs@ -40℃≤TC≤+85℃
· 3.9μs@ + 85℃<TC≤+95℃
· 写入均衡
· OCD校准
· 动态ODT(Rtt_Nom和Rtt_WR)
· 符合RoHS标准
· 自动刷新和自我刷新
· 96-ball 9 x 13 x 1.2mm FBGA封装
· 无铅和无卤素
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产品型号
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品类
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Product Family
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DENSITY
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ORGANISATION
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VCC(V)
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TEMPERATURE RANGE(°C)
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PACKAGE
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MSL LEVEL
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AS7C164A-15JCN
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存储器
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FAST-Asynch
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64K Fast
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8K x 8
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5V
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Commercial (0 ~ 70°C)
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28pin SOJ(300mil)
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3
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选型表 - ALLIANCE 立即选型
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