【产品】漏源电压600V、TO-220FM封装小尺寸N沟道功率MOSFET，适用于各种开关应用
罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX是其推出的漏源电压600V的3款功率MOSFET，其连续漏极电流依次为±12A / ±20A / ±25A。这3款MOSFET均具有快速反向恢复时间和低导通电阻的特点，且开关速度极快，驱动电路较简单，同时这3款MOSFET采用无铅电镀，符合RoHS标准，广泛的应用于各种开关应用。
图1 R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的产品图
图2 R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的内部电路图
图2为3款MOSFET的内部电路图，这3款产品均为N沟道MOSFET，其中Gate为栅极，Drain为漏极，Source为源极。这3款功率MOSFET均采用TO-220FM封装，封装尺寸极小，适用于有限空间的电路系统设计，具体如图3。
图3 R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的封装尺寸图
电气特性方面，R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的漏源电压VDSS均为600V，结温均为150℃，工作结温和存储温度均为-55℃~150℃，适用于严苛的温度环境，25℃下，零栅极电压漏电流IDSS（max.）均为100μA，栅源漏电流IGSS（max.）均为±100nA；其它电气参数（连续漏极电流等）如图4。
图4 R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的电气参数图
R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的产品特性：
快速反向恢复时间
低导通电阻
开关速度快
驱动电路简单
无铅电镀
符合RoHS标准
R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的应用：
各种开关应用
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