【产品】漏源电压600V、TO-220FM封装小尺寸N沟道功率MOSFET，适用于各种开关应用

时间： 2019-04-03 来源：ROHM

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N沟道功率MOSFET,小尺寸功率MOSFET,通用MOSFET,R6012JNX

罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX是其推出的漏源电压600V的3款功率MOSFET，其连续漏极电流依次为±12A / ±20A / ±25A。这3款MOSFET均具有快速反向恢复时间和低导通电阻的特点，且开关速度极快，驱动电路较简单，同时这3款MOSFET采用无铅电镀，符合RoHS标准，广泛的应用于各种开关应用。

图1 R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的产品图

图2 R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的内部电路图

图2为3款MOSFET的内部电路图，这3款产品均为N沟道MOSFET，其中Gate为栅极，Drain为漏极，Source为源极。这3款功率MOSFET均采用TO-220FM封装，封装尺寸极小，适用于有限空间的电路系统设计，具体如图3。

图3 R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的封装尺寸图

电气特性方面，R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的漏源电压V_DSS均为600V，结温均为150℃，工作结温和存储温度均为-55℃~150℃，适用于严苛的温度环境，25℃下，零栅极电压漏电流I_DSS（max.）均为100μA，栅源漏电流I_GSS（max.）均为±100nA；其它电气参数（连续漏极电流等）如图4。

图4 R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的电气参数图

R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的产品特性：

快速反向恢复时间
低导通电阻
开关速度快
驱动电路简单
无铅电镀

符合RoHS标准

R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的应用：

各种开关应用

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maomao Lv8. 研究员 2019-04-03

学习了
duanmaxie Lv8. 研究员 2019-04-03

可以
好运常伴吾 Lv8. 研究员 2019-04-03

学习
沉浮 Lv7. 资深专家 2019-04-03

不错
行行摄摄 Lv7. 资深专家 2019-04-03

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