【产品】漏源电压600V、TO-220FM封装小尺寸N沟道功率MOSFET,适用于各种开关应用
罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一,R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX是其推出的漏源电压600V的3款功率MOSFET,其连续漏极电流依次为±12A / ±20A / ±25A。这3款MOSFET均具有快速反向恢复时间和低导通电阻的特点,且开关速度极快,驱动电路较简单,同时这3款MOSFET采用无铅电镀,符合RoHS标准,广泛的应用于各种开关应用。
图1 R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的产品图
图2 R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的内部电路图
图2为3款MOSFET的内部电路图,这3款产品均为N沟道MOSFET,其中Gate为栅极,Drain为漏极,Source为源极。这3款功率MOSFET均采用TO-220FM封装,封装尺寸极小,适用于有限空间的电路系统设计,具体如图3。
图3 R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的封装尺寸图
电气特性方面,R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的漏源电压VDSS均为600V,结温均为150℃,工作结温和存储温度均为-55℃~150℃,适用于严苛的温度环境,25℃下,零栅极电压漏电流IDSS(max.)均为100μA,栅源漏电流IGSS(max.)均为±100nA;其它电气参数(连续漏极电流等)如图4。
图4 R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的电气参数图
R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的产品特性:
快速反向恢复时间
低导通电阻
开关速度快
驱动电路简单
无铅电镀
符合RoHS标准
R6012JNX / R6020JNX / R6025JNX功率MOSFET的应用:
各种开关应用
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